結構和符號BCM2075B0KUBG    

    絕緣柵場效應管簡稱MOS管，可用MOSFET表示。它分增強型(EMOS)和耗盡型(DMOS)兩類，各類又有P溝道(PMOS)和N溝道(NMOS)兩種。
    以N溝道絕緣柵場效應管為例，其結構和圖形符號如圖1- 35所示。

                      
 
    N溝道絕緣柵場效應管是以一塊摻雜濃度較低的P型硅片作襯底，在上面制作出兩個高濃度N型區(qū)（圖中N+區(qū)），各引出兩個電極：源極S和漏極D。在硅片表面制作一層S102絕緣層，絕緣層上再制作一層金屬膜作為柵極G。由于柵極與其他電極及硅片之間是絕緣的，所以稱絕緣柵場效應管。又由于它是由金屬一氧化物一半導體( Metal-Oxide-Semiconductor)所組成的，故簡稱MOS場效應管。
    場效應管的S，G，D極對應三極管的e，b，c極。B表示襯底（有時也用U表示），一般與源極S相連。襯底箭頭向內表示為N溝道，反之為P溝道。D極和S極之間為三段斷續(xù)線表示增強犁，為連續(xù)線表示耗盡型。
    N溝道增強型MOS管的工作原理
    在漏源極間加正向電壓UDS，當UGS =0時，漏源之間沒有導電溝道，iD=0，如圖1- 36 (a)所示。當Ucs增加至某個臨界電壓時，漏源之間形成導電溝道，產生漏極電流iD，如圖1- 36(b)所示。這個臨界電壓稱為開啟電壓，用UT表示。顯然，繼續(xù)加大UGS，導電溝道會越寬。也就越大。由于這種場效應管是依靠加上電壓“G。后才產生導電溝道的，所以稱為增強型。