深度休眠模式簡介深度休眠模式是最低靜態(tài)功耗模式，無須完全切斷器件供電即可獲得最低功耗。深度休眠模式通過在內(nèi)部切斷器件中大多數(shù)組件的供電進入此低功耗狀態(tài)。內(nèi)核、片上穩(wěn)壓器（如果有）、大多數(shù)外設(shè)和（在某些情況下）RAM在深度休眠模式下都是掉電的。A44L-0001-0165100A    

    深度休眠模式提供極低的電流，尤其是在使用內(nèi)部穩(wěn)壓器的器件上，通常需要幾微安的電流。切斷器件中大多數(shù)組件的供電還可以使高溫時的電流消耗較低，因為產(chǎn)生泄漏電流的有源電路很少。
    達到這么低的功耗也有一些缺陷。與休眠模式中提供的多種喚醒源相比，深度休眠模式只有如下幾種喚醒源：
    ·POR事件；
    ·MCLR事件；
    ·RTCC鬧鐘；
    ·外部中斷；
    ·深度休眠WDT。
    由于已切斷內(nèi)核的供電，從深度休眠模式喚醒將導(dǎo)致器件復(fù)位，而不能像在休眠模式下一樣從下一條指令恢復(fù)。它將復(fù)位程序計數(shù)器和SFR，且器件將從復(fù)位向量處恢復(fù)程序執(zhí)行。與其他復(fù)位不同，所有I/O狀態(tài)以及Timerl/SOSC和RTCC都將保持，以使系統(tǒng)的整體運行不會中斷。
    此外，深度休眠指示位將置1，且一些RAM地址單元也得以保持，以通知軟件此復(fù)位是深度休眠喚醒，并允許正確恢復(fù)固件狀態(tài)。
    發(fā)生深度休眠喚醒后，應(yīng)用需要應(yīng)答喚醒，重新配置外設(shè)和I/O寄存器，然后恢復(fù)正常運行。圖2.9所汞為喚醒過程流程圖。請參閱相應(yīng)的器件數(shù)據(jù)手冊，以獲取具體的深度休眠進入和退出序列。