估算靜態(tài)電流/DD-DEEPSLEEP
發(fā)布時間:2012/2/20 21:30:12 訪問次數(shù):1329
Blackfin處理器深度睡眠模式是指在處理器關(guān)閉了所有時鐘，但對處理器內(nèi)核和Ll存儲器仍供電時的處理器狀態(tài)。在該模式下，可以測量它是指總的平均損耗中的基礎(chǔ)靜態(tài)部分。Blackfin處理器，電流圖如圖2.27（高性能處理器）和圖2.28（低功耗處理器）所示。電源域上的靜態(tài)電流是接口溫度和電壓的函數(shù)，但不是頻率和活動水平的函數(shù)。因此，不像內(nèi)部電流中的動態(tài)部分，不需要為每個離散活動水平或功率矢量計算靜態(tài)電流。利用與實際應(yīng)用對應(yīng)的靜態(tài)電流曲線，就能夠估算Blackfin處埋器隨Tj變化。B0530W-7
例如，某個應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時，只需簡單加上估算出的總的動態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過程中，所測量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
例如，某個應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時，只需簡單加上估算出的總的動態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過程中，所測量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
Blackfin處理器深度睡眠模式是指在處理器關(guān)閉了所有時鐘，但對處理器內(nèi)核和Ll存儲器仍供電時的處理器狀態(tài)。在該模式下，可以測量它是指總的平均損耗中的基礎(chǔ)靜態(tài)部分。Blackfin處理器，電流圖如圖2.27（高性能處理器）和圖2.28（低功耗處理器）所示。電源域上的靜態(tài)電流是接口溫度和電壓的函數(shù)，但不是頻率和活動水平的函數(shù)。因此，不像內(nèi)部電流中的動態(tài)部分，不需要為每個離散活動水平或功率矢量計算靜態(tài)電流。利用與實際應(yīng)用對應(yīng)的靜態(tài)電流曲線，就能夠估算Blackfin處埋器隨Tj變化。B0530W-7
例如，某個應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時，只需簡單加上估算出的總的動態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過程中，所測量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
例如，某個應(yīng)用中的VDDNT，為1.2V，高性能Blackfin處理器工作的Tj為+lOO℃，則相對應(yīng)的DDINT電源域的/DD—DEEPSI,EEP約為375mA。
同樣，某個應(yīng)用中的VDDIN為1.2V，低功耗Blackfin處理器工作的Tj為+100℃，則相對應(yīng)的VDDINT電源域的IDD一DFEEPSLEEP,約為lOOmA。
在給定電壓和溫度下，Blackfin處理器的靜態(tài)功耗是常量。因此，計算Blackfin處理器內(nèi)部電路的總功耗時，只需簡單加上估算出的總的動態(tài)電流即可。注意，圖2. 27和圖2.28中所示的電流分別代表了高性能和低功耗器件的晶片制造過程中，所測量到的最壞情況下的靜態(tài)電流。
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