電路的可靠性模擬器應(yīng)該包括MFI341S2500許多模型，以模擬主要的失效機(jī)理。已報(bào)道的可靠性模擬器都含有熱載流子效應(yīng)模型。HOTRON是用于模擬熱載流子效應(yīng)的可靠性模擬器，由研究電遷移機(jī)械應(yīng)力和其他可靠性現(xiàn)象而著名的得克薩斯儀器公司開(kāi)發(fā)出來(lái)。南加利福尼亞大學(xué)正在完善RELY，其目的是為了模擬熱載流子效應(yīng)、二氯化硅的可靠性和電遷移。加利福尼亞大學(xué)的伯克利分校已開(kāi)發(fā)出BERTⅢ，它含有熱電子效應(yīng)模型、二氧化硅可靠性模型、電遷移以及雙極晶體管增益退化模型。伊利諾斯大學(xué)也正在研究熱電子效應(yīng)模擬器，其重點(diǎn)是器件的失效分析模型。伊利諾斯大學(xué)和得克薩斯儀器公司已開(kāi)發(fā)了CREST，估算在許多輸入波形情況下的電流波形，以便快速估算電遷移的可靠性。用于分析和研究超大規(guī)模集成電路互連的可靠性模擬工具也已開(kāi)發(fā)出來(lái)，提出了CMOS邏輯電路的熱載流子可靠性準(zhǔn)則，并給出了快速估計(jì)電路壽命的技術(shù)。

               
    BERT包括四種可靠性模型：電路老化模擬CAS(用于模擬熱電子效應(yīng)的可靠性)，電路中二氧化硅可靠性模擬器CORS，電遷移CEM和雙極晶體管退化。這四種模型可以單獨(dú)使用，也可以一起使用。預(yù)計(jì)在不久的將來(lái)，還將引入其他模型。BERT的結(jié)如圖2.47所示，通過(guò)預(yù)先和后處理模式外連到SPICE上，以形成獨(dú)立的模擬器。BERT可以和SPICE2或SPICE3接口，使用1，2，3級(jí)或BSIMMOSFET模型或雙極晶體管模型。對(duì)于熱載流子效應(yīng)，首先對(duì)某個(gè)新電路進(jìn)行模擬，以確定在任意用戶給定的電源電壓下工作一段時(shí)間后所有晶體管的端電壓波形，后處理器計(jì)算瞬態(tài)襯底電流和給定任意用戶指定應(yīng)力時(shí)間后每一器件的“老化”結(jié)果，根據(jù)“老化”結(jié)果，模擬器插入受應(yīng)力晶體管的用戶定義工藝（模型參數(shù)）文件，最后，“老化”過(guò)的電路再用SPICE模擬一次。BERT的另一個(gè)模塊是CORS，預(yù)測(cè)電路失效的可靠性與工作時(shí)間、溫度、電源電壓的關(guān)系，CORS使用SPICE得到的節(jié)點(diǎn)電壓和用戶給出的二氧化硅缺陷來(lái)計(jì)算出失效的概率，篩選對(duì)二氧化硅穩(wěn)定性的影響也能夠得到模擬。