CMOS中P阱和N阱抗閉鎖能力的比較
發(fā)布時間:2012/4/23 19:52:32 訪問次數(shù):3288
在目前流行的P阱和N阱CMOS工藝中，N阱CMOS工藝具有PI5C3390QEX更強的抗閉鎖能力。由于N阱襯底的多子為電子，而P阱襯底的多子為空穴，體內(nèi)的電子遷移率比空穴遷移率約高3.2倍(體內(nèi)的電子遷移率約為l450crri2／(V．S)，空穴遷移率約為450cm2／(V．S》。這樣，若N阱和P阱的摻雜濃度相同，則P阱的襯底電阻比N阱的襯底電阻約高3.2倍。因此，多數(shù)載流子在襯底電阻上所產(chǎn)生的電壓在N阱CMOS中比P阱中要小。在N阱CMOS中寄生的中向雙極晶體管是PNP型，其電流增益較低；而在P阱CMOS中寄生的中向雙極晶體管是NPN型，電流增益較高。所有這些因素均意味著，N阱CMOS結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生“晶閘管閉鎖效應”的幾率較低。故N阱CMOS在抗閉鎖能力較為好。對于實現(xiàn)系統(tǒng)集成，N阱CMOS與雙極型兼容是優(yōu)選的工藝。
在目前流行的P阱和N阱CMOS工藝中，N阱CMOS工藝具有PI5C3390QEX更強的抗閉鎖能力。由于N阱襯底的多子為電子，而P阱襯底的多子為空穴，體內(nèi)的電子遷移率比空穴遷移率約高3.2倍(體內(nèi)的電子遷移率約為l450crri2／(V．S)，空穴遷移率約為450cm2／(V．S》。這樣，若N阱和P阱的摻雜濃度相同，則P阱的襯底電阻比N阱的襯底電阻約高3.2倍。因此，多數(shù)載流子在襯底電阻上所產(chǎn)生的電壓在N阱CMOS中比P阱中要小。在N阱CMOS中寄生的中向雙極晶體管是PNP型，其電流增益較低；而在P阱CMOS中寄生的中向雙極晶體管是NPN型，電流增益較高。所有這些因素均意味著，N阱CMOS結(jié)構(gòu)中產(chǎn)生“晶閘管閉鎖效應”的幾率較低。故N阱CMOS在抗閉鎖能力較為好。對于實現(xiàn)系統(tǒng)集成，N阱CMOS與雙極型兼容是優(yōu)選的工藝。
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