①失配位錯。因摻雜原子半徑與硅原子半L6225徑相差較大，出現(xiàn)點陣應(yīng)力，高濃度摻雜會產(chǎn)生位錯，會加速雜質(zhì)擴散，形成發(fā)射區(qū)“陷落效應(yīng)”，使器件Wb十，f+，用砷化磷作發(fā)射區(qū)擴散，可消除此效應(yīng)As(1.18A)、硅(1.17A)、B(0. 88A)、P(l. 10A)。
    ②氧化層錯。例如火柴桿狀，表面沾污或由于機械損傷造成。二次缺陷對產(chǎn)品可靠性的影響主要是造成氧化膜針孔，凡增大，軟擊穿。
    ③滑移位錯。高于950℃高溫，硅片處于塑性狀態(tài)，當(dāng)硅在高溫處于受夾狀態(tài)，會引起切應(yīng)力，冷卻時會引起滑移位錯，它會造成器件軟擊穿或E-C穿通，裝片時造成。
    (2)消除晶體缺陷的措施
    消除晶體缺陷的措施主要有：
    ①無位錯單晶拉劁工藝控制，如防止粒晶位錯傳播、防止懸浮物或其他異物進入生長界面、防止熱沖擊，保持液流穩(wěn)定和生長界面附加溫度梯度穩(wěn)定、防止振動和機械沖擊、控制冷卻速度，防止慣性形變的熱應(yīng)力產(chǎn)生等。
    ②防止旋渦缺陷，如控制拉速大于2mmlmin，且不宜太快以免形成橫向應(yīng)力、減少碳沾污、保持徑向熱場對稱、吸除處理，背面生長硬氮化硅膜，提供恒定的應(yīng)力梯度，可把硅片正面的缺陷吸附到背面，也可把硅片內(nèi)部的有害雜質(zhì)Au、Cu吸附到背面。
    ③晶片預(yù)退火處理。熱氧化前或外延前對晶片進行退火處理，使機械損傷在高溫退火期間得以回復(fù)，能有效抑制氧化層錯和外延層錯的產(chǎn)生。硅中氧的含量和氧沉積團對硅晶體的力學(xué)性質(zhì)有明顯影響，控制適當(dāng)?shù)臒崽幚頊囟龋纬傻蜐舛染鶆蚍植嫉拈g隙原子或小尺寸《50nm)氧沉積團，可有效提高硅單晶機械強度。
    ④氣相腐蝕。表4.1是硅晶片機械損傷區(qū)厚度，在熱氧化外延前，在高溫下進行氣相氯、氯化氫等腐蝕，具有退化效應(yīng)能腐蝕掉晶片表面損傷，表面微缺陷，表面微氧化斑和隱埋擴散合金點，這是消除外延層錯和氧化層錯的有效方法。

         
   
    ⑤硅片表面清洗。硅片表面污染粘附機理主要有分子間吸附、靜電吸附、化合和滲透擴散等方面，消除表面污染措施：
    ·消除有機物污染：油脂、抗蝕劑、皮膚脫落物、微生物。
    ·消除離子雜質(zhì)污染：金屬雜質(zhì)、酸堿粘附物。
    ·去除硅片表面自然氧化膜。
    ·去除空氣中懸浮塵埃。
    清洗表面方式：
    ·化學(xué)清洗：有機溶劑、中性洗滌劑。
    ·物理清洗：超聲波、刷洗、噴洗。
    ·干法清洗：等離子、紫外線、臭氧、激光。