半絕緣多晶鈍化(SIPOS)
發(fā)布時間:2012/4/27 19:20:14 訪問次數(shù):2126
①摻氧多晶硅。S1H4-N2 0-N2反FQPF13N50C皮系統(tǒng)650℃，5000A／min，晶粒：200～300A，半絕緣，無固定電荷。
②三層鈍化結(jié)構(gòu)。采用三層鈍化結(jié)構(gòu)可阻止Na+到達(dá)硅表面，也可阻止水離子到達(dá)硅表面。Si02作用：阻止摻N2多晶硅膜在高壓工作區(qū)內(nèi)發(fā)生介質(zhì)擊穿。
玻璃鈍化（高耐壓器件）
①熔凝玻璃。熔凝玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)比S102致密，阻止Na+移動調(diào)配成分可獲負(fù)電荷的鈍化層，可獲幾十到幾百微米厚耐壓高，膨脹系數(shù)可控制接近Si02。
②主要成分有鉛系：Pb0、B2 0。、Si02；鋅系：Zn0、B2 03、Si02。加入少量Ce02、Ta2 0s、Sb3 03（鋅系）、Al2 03（鉛系）。
③對于高壓功率管，芯片作成臺面或斜面結(jié)構(gòu)，必須用n+pLm厚鈍化層，故只有玻璃鈍化膜才能達(dá)到此厚度。
10)聚酰亞胺(PI)鈍化
聚酰亞胺(PI)鈍化的優(yōu)點是：
①耐高溫、電絕緣性好、成膜工藝簡單、成本低、熱穩(wěn)定性好、致密性好、針孔密度少、固化溫度低。
②抗Na+沾污能力強，有負(fù)電荷效應(yīng)（1011 cm-2），可有效抑制Si0。中的正電荷(Na+)。
③可阻擋Na+滲透，與Al粘附力強。
④可輻射能力強。
⑤熱膨脹系數(shù)小，臺階覆蓋好，膜內(nèi)應(yīng)力小。
⑥可涂一層光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，可用于多層布線。
⑦PI與Si3 N4組合鈍化，效果更佳。
⑧PI還用于塑料器件的保護(hù)涂料及光電器件的抗反射薄膜。
⑨PI與Si、S102粘附力較差，要加入偶聯(lián)劑，以增強粘附力。
②三層鈍化結(jié)構(gòu)。采用三層鈍化結(jié)構(gòu)可阻止Na+到達(dá)硅表面，也可阻止水離子到達(dá)硅表面。Si02作用：阻止摻N2多晶硅膜在高壓工作區(qū)內(nèi)發(fā)生介質(zhì)擊穿。
玻璃鈍化（高耐壓器件）
①熔凝玻璃。熔凝玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)比S102致密，阻止Na+移動調(diào)配成分可獲負(fù)電荷的鈍化層，可獲幾十到幾百微米厚耐壓高，膨脹系數(shù)可控制接近Si02。
②主要成分有鉛系：Pb0、B2 0。、Si02；鋅系：Zn0、B2 03、Si02。加入少量Ce02、Ta2 0s、Sb3 03（鋅系）、Al2 03（鉛系）。
③對于高壓功率管，芯片作成臺面或斜面結(jié)構(gòu)，必須用n+pLm厚鈍化層，故只有玻璃鈍化膜才能達(dá)到此厚度。
10)聚酰亞胺(PI)鈍化
聚酰亞胺(PI)鈍化的優(yōu)點是：
①耐高溫、電絕緣性好、成膜工藝簡單、成本低、熱穩(wěn)定性好、致密性好、針孔密度少、固化溫度低。
②抗Na+沾污能力強，有負(fù)電荷效應(yīng)（1011 cm-2），可有效抑制Si0。中的正電荷(Na+)。
③可阻擋Na+滲透，與Al粘附力強。
④可輻射能力強。
⑤熱膨脹系數(shù)小，臺階覆蓋好，膜內(nèi)應(yīng)力小。
⑥可涂一層光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，可用于多層布線。
⑦PI與Si3 N4組合鈍化，效果更佳。
⑧PI還用于塑料器件的保護(hù)涂料及光電器件的抗反射薄膜。
⑨PI與Si、S102粘附力較差，要加入偶聯(lián)劑，以增強粘附力。
①摻氧多晶硅。S1H4-N2 0-N2反FQPF13N50C皮系統(tǒng)650℃，5000A／min，晶粒：200～300A，半絕緣，無固定電荷。
②三層鈍化結(jié)構(gòu)。采用三層鈍化結(jié)構(gòu)可阻止Na+到達(dá)硅表面，也可阻止水離子到達(dá)硅表面。Si02作用：阻止摻N2多晶硅膜在高壓工作區(qū)內(nèi)發(fā)生介質(zhì)擊穿。
玻璃鈍化（高耐壓器件）
①熔凝玻璃。熔凝玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)比S102致密，阻止Na+移動調(diào)配成分可獲負(fù)電荷的鈍化層，可獲幾十到幾百微米厚耐壓高，膨脹系數(shù)可控制接近Si02。
②主要成分有鉛系：Pb0、B2 0。、Si02；鋅系：Zn0、B2 03、Si02。加入少量Ce02、Ta2 0s、Sb3 03（鋅系）、Al2 03（鉛系）。
③對于高壓功率管，芯片作成臺面或斜面結(jié)構(gòu)，必須用n+pLm厚鈍化層，故只有玻璃鈍化膜才能達(dá)到此厚度。
10)聚酰亞胺(PI)鈍化
聚酰亞胺(PI)鈍化的優(yōu)點是：
①耐高溫、電絕緣性好、成膜工藝簡單、成本低、熱穩(wěn)定性好、致密性好、針孔密度少、固化溫度低。
②抗Na+沾污能力強，有負(fù)電荷效應(yīng)（1011 cm-2），可有效抑制Si0。中的正電荷(Na+)。
③可阻擋Na+滲透，與Al粘附力強。
④可輻射能力強。
⑤熱膨脹系數(shù)小，臺階覆蓋好，膜內(nèi)應(yīng)力小。
⑥可涂一層光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，可用于多層布線。
⑦PI與Si3 N4組合鈍化，效果更佳。
⑧PI還用于塑料器件的保護(hù)涂料及光電器件的抗反射薄膜。
⑨PI與Si、S102粘附力較差，要加入偶聯(lián)劑，以增強粘附力。
②三層鈍化結(jié)構(gòu)。采用三層鈍化結(jié)構(gòu)可阻止Na+到達(dá)硅表面，也可阻止水離子到達(dá)硅表面。Si02作用：阻止摻N2多晶硅膜在高壓工作區(qū)內(nèi)發(fā)生介質(zhì)擊穿。
玻璃鈍化（高耐壓器件）
①熔凝玻璃。熔凝玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)比S102致密，阻止Na+移動調(diào)配成分可獲負(fù)電荷的鈍化層，可獲幾十到幾百微米厚耐壓高，膨脹系數(shù)可控制接近Si02。
②主要成分有鉛系：Pb0、B2 0。、Si02；鋅系：Zn0、B2 03、Si02。加入少量Ce02、Ta2 0s、Sb3 03（鋅系）、Al2 03（鉛系）。
③對于高壓功率管，芯片作成臺面或斜面結(jié)構(gòu)，必須用n+pLm厚鈍化層，故只有玻璃鈍化膜才能達(dá)到此厚度。
10)聚酰亞胺(PI)鈍化
聚酰亞胺(PI)鈍化的優(yōu)點是：
①耐高溫、電絕緣性好、成膜工藝簡單、成本低、熱穩(wěn)定性好、致密性好、針孔密度少、固化溫度低。
②抗Na+沾污能力強，有負(fù)電荷效應(yīng)（1011 cm-2），可有效抑制Si0。中的正電荷(Na+)。
③可阻擋Na+滲透，與Al粘附力強。
④可輻射能力強。
⑤熱膨脹系數(shù)小，臺階覆蓋好，膜內(nèi)應(yīng)力小。
⑥可涂一層光刻膠進(jìn)行曝光、顯影，可用于多層布線。
⑦PI與Si3 N4組合鈍化，效果更佳。
⑧PI還用于塑料器件的保護(hù)涂料及光電器件的抗反射薄膜。
⑨PI與Si、S102粘附力較差，要加入偶聯(lián)劑，以增強粘附力。
上一篇： S102薄膜的擊穿機理
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