FET與晶體管混合的達(dá)林頓連接
發(fā)布時(shí)間:2012/5/22 19:56:46 訪問(wèn)次數(shù):1509
圖4.21是將迭林頓連接的晶體管MSP430F149IPMR用于射極跟隨器使用的例子。達(dá)林頓連接是前級(jí)晶體管Tri的發(fā)射極電流全部成為后級(jí)晶體管Tr2的基極電流,所以^FE為^FE1×hFE2 (hFEl:Tri的矗FE,hFE2:Tr2的hFE)。因此,Tri的基極電流可以變得非常小。
但是,晶體管是由基極電流控制集電極電流的電流控制器件,必須有基極電流,所以器件的輸入阻抗不可能很大。
圖4.22是前級(jí)使用JFET,后級(jí)采用晶體管的混合達(dá)林頓連接的源極跟隨器(射極跟隨器?)電路。這個(gè)電路是Tr.的源極電流全部成為T(mén)r。的基極電流,所以是達(dá)林頓連接形式。
由于前級(jí)采用輸入電流幾乎為零的FET(JFET的輸入電流約為pA~nA量級(jí)),所以電路的輸入阻抗可以作的非常大。而且由于Tr。使用晶體管,所以對(duì)發(fā)射極電流也沒(méi)有限制(JFET的源極跟隨器的輸出電流不超過(guò)IDSS)。就是說(shuō),這個(gè)電路是一個(gè)兼?zhèn)淞薋ET的高輸入阻抗特性和晶體管的大輸出電流特性的電路。
圖4.21是將迭林頓連接的晶體管MSP430F149IPMR用于射極跟隨器使用的例子。達(dá)林頓連接是前級(jí)晶體管Tri的發(fā)射極電流全部成為后級(jí)晶體管Tr2的基極電流,所以^FE為^FE1×hFE2 (hFEl:Tri的矗FE,hFE2:Tr2的hFE)。因此,Tri的基極電流可以變得非常小。
但是,晶體管是由基極電流控制集電極電流的電流控制器件,必須有基極電流,所以器件的輸入阻抗不可能很大。
圖4.22是前級(jí)使用JFET,后級(jí)采用晶體管的混合達(dá)林頓連接的源極跟隨器(射極跟隨器?)電路。這個(gè)電路是Tr.的源極電流全部成為T(mén)r。的基極電流,所以是達(dá)林頓連接形式。
由于前級(jí)采用輸入電流幾乎為零的FET(JFET的輸入電流約為pA~nA量級(jí)),所以電路的輸入阻抗可以作的非常大。而且由于Tr。使用晶體管,所以對(duì)發(fā)射極電流也沒(méi)有限制(JFET的源極跟隨器的輸出電流不超過(guò)IDSS)。就是說(shuō),這個(gè)電路是一個(gè)兼?zhèn)淞薋ET的高輸入阻抗特性和晶體管的大輸出電流特性的電路。
上一篇:采用JFET的推挽源極跟隨器
上一篇:源極跟隨器+OP放大器
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 達(dá)林頓連接的用途
- 觀察射極跟隨器的波形
- 源極接地放大電路的設(shè)計(jì)
- 如何提高放大倍數(shù)
- 150MHz調(diào)諧放大電路
- FET與晶體管混合的達(dá)林頓連接
- 金屬化工藝對(duì)器件可靠性的影響及其工藝控制要求
- 圖像信號(hào)放大電路
- 100W低頻功率放大器
- 使用高頻用晶體管時(shí)的頻率特性
推薦技術(shù)資料
- 業(yè)余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝,引腳小而密,EP3... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無(wú)源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究