簡單的溫度補償電路
發(fā)布時間:2012/5/23 19:40:21 訪問次數(shù):704
如圖5.6所示，這是與輸出級使用雙極LM3S1751-IQC50-A2晶體管的功率放大器完全相同的偏置電路（當(dāng)然也必須使輸出級的MOSFET與偏置電路的晶體管Tri熱耦合）。但是，這個電路中MOSFET的VGS的溫度變化是由晶體管VBE的溫度變化補償?shù)�，所以是不怎么準確的溫度補償。
這個電路的工作是由如下的循環(huán)過程進行控制的。
①輸出級溫度上升；
②Tri的溫度網(wǎng)樣也上升，VBE變�。ňw管的VBE隨溫度上升而減小，溫度系數(shù)約為-2.5mV／℃）；
③MOSFET的柵極一柵極間電壓VB減小；
④由于MOSFET的VGS變小，所以漏極電流減�。�
⑤器件的溫度下降。
如圖5.6所示，這是與輸出級使用雙極LM3S1751-IQC50-A2晶體管的功率放大器完全相同的偏置電路（當(dāng)然也必須使輸出級的MOSFET與偏置電路的晶體管Tri熱耦合）。但是，這個電路中MOSFET的VGS的溫度變化是由晶體管VBE的溫度變化補償?shù)模允遣辉趺礈蚀_的溫度補償。
這個電路的工作是由如下的循環(huán)過程進行控制的。
①輸出級溫度上升；
②Tri的溫度網(wǎng)樣也上升，VBE變�。ňw管的VBE隨溫度上升而減小，溫度系數(shù)約為-2.5mV／℃）；
③MOSFET的柵極一柵極間電壓VB減�。�
④由于MOSFET的VGS變小，所以漏極電流減��；
⑤器件的溫度下降。
上一篇：MOSFET電路中沒有熱擊穿問題
相關(guān)技術(shù)資料- 5-23簡單的溫度補償電路
- 相關(guān)IC型號
- LM3S1751-IQC50-A2
- 暫無最新型號
熱門點擊
- GaAs和Si的比較
- 通用的fLPC 4570
- 二級直接連接型推挽射極跟隨器
- 射極跟隨器
- 混合集成電路的熱阻計算
- 采用JFET的推挽源極跟隨器
- 引線鍵合工藝對器件可靠性的影晌及其工藝控制要
- 非反相5倍的放大器
- Tr1與Tr2的選擇
- 提高IC可靠性的研究工作可分為三個方面
推薦技術(shù)資料
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
