并聯(lián)推挽源極跟隨器
發(fā)布時(shí)間:2012/5/24 19:39:27 訪問(wèn)次數(shù):897
圖5.7所介紹的功率放LM3S9B90-IQC80-C5大電路中，當(dāng)必須的輸出電流超過(guò)輸出級(jí)所用MOS-FET的額定值時(shí)，如圖5.19所示，可以將多個(gè)源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)，由各源極跟隨器分散提供電流。
圖5.19的電路只畫出了并聯(lián)推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)時(shí)必須注意的問(wèn)題是并聯(lián)接續(xù)FET的VGS要一致（圖5.19中的Tri與Tr3、Tr2與Tr4的VGS）。否則的話，就不能從各器件中流過(guò)均等的源極電流。特別是由于FET的VGS與晶體管的VBE不同，分散性很大，所以并聯(lián)接續(xù)的FET不僅要求器件VGS的檔次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的），而且必須在mV量級(jí)上一致。
圖5.19的電路只畫出了并聯(lián)推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)時(shí)必須注意的問(wèn)題是并聯(lián)接續(xù)FET的VGS要一致（圖5.19中的Tri與Tr3、Tr2與Tr4的VGS）。否則的話，就不能從各器件中流過(guò)均等的源極電流。特別是由于FET的VGS與晶體管的VBE不同，分散性很大，所以并聯(lián)接續(xù)的FET不僅要求器件VGS的檔次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的），而且必須在mV量級(jí)上一致。
圖5.7所介紹的功率放LM3S9B90-IQC80-C5大電路中，當(dāng)必須的輸出電流超過(guò)輸出級(jí)所用MOS-FET的額定值時(shí)，如圖5.19所示，可以將多個(gè)源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)，由各源極跟隨器分散提供電流。
圖5.19的電路只畫出了并聯(lián)推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)時(shí)必須注意的問(wèn)題是并聯(lián)接續(xù)FET的VGS要一致（圖5.19中的Tri與Tr3、Tr2與Tr4的VGS）。否則的話，就不能從各器件中流過(guò)均等的源極電流。特別是由于FET的VGS與晶體管的VBE不同，分散性很大，所以并聯(lián)接續(xù)的FET不僅要求器件VGS的檔次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的），而且必須在mV量級(jí)上一致。
圖5.19的電路只畫出了并聯(lián)推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
源極跟隨器并聯(lián)接續(xù)時(shí)必須注意的問(wèn)題是并聯(lián)接續(xù)FET的VGS要一致（圖5.19中的Tri與Tr3、Tr2與Tr4的VGS）。否則的話，就不能從各器件中流過(guò)均等的源極電流。特別是由于FET的VGS與晶體管的VBE不同，分散性很大，所以并聯(lián)接續(xù)的FET不僅要求器件VGS的檔次相同（功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的），而且必須在mV量級(jí)上一致。
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