使用MOSFET的LC振蕩電路
發(fā)布時(shí)間:2012/6/2 19:03:33 訪問次數(shù):3969
圖14.29是使用MOSFET的LC振蕩電路。振蕩頻率與圖14.14的電S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗盡型MOSFET，如果設(shè)定柵極偏置電壓為OV，就可以把柵極偏置電路簡化（用1個(gè)電阻偏置）。
如果再省略LC共振電路的串聯(lián)電容，就變成圖14. 30所示的那樣，那么還可以去掉柵極的偏置電阻。這個(gè)電路是以線圈的直流電阻把FET的柵極接地為OV的。
使用MOSFET時(shí)確定振蕩電路各部分常數(shù)的方法和使用晶體管的場合完全相同。但是由于FET的數(shù)據(jù)表中不提供與晶體管fT相當(dāng)?shù)膮?shù)，所以必須從其他參數(shù)中推測它能夠工作的頻率。
在使用2SK241的場合，由圖3.18的正向傳輸導(dǎo)納yfS（=GM）的頻率特性看出大約可以工作到200MHz.
圖14.29是使用MOSFET的LC振蕩電路。振蕩頻率與圖14.14的電S29GL128N90TFIR1路相同是4MHz。使用的是耗盡型MOSFET，如果設(shè)定柵極偏置電壓為OV，就可以把柵極偏置電路簡化（用1個(gè)電阻偏置）。
如果再省略LC共振電路的串聯(lián)電容，就變成圖14. 30所示的那樣，那么還可以去掉柵極的偏置電阻。這個(gè)電路是以線圈的直流電阻把FET的柵極接地為OV的。
使用MOSFET時(shí)確定振蕩電路各部分常數(shù)的方法和使用晶體管的場合完全相同。但是由于FET的數(shù)據(jù)表中不提供與晶體管fT相當(dāng)?shù)膮?shù)，所以必須從其他參數(shù)中推測它能夠工作的頻率。
在使用2SK241的場合，由圖3.18的正向傳輸導(dǎo)納yfS（=GM）的頻率特性看出大約可以工作到200MHz.
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