150MHz調諧放大電路
發(fā)布時間:2012/8/16 20:31:54 訪問次數(shù):2284
這個電路是將源極接地放大電路的柵極偏置電路和漏極電阻置換為LC并聯(lián)共振電路（調諧電路）。
并聯(lián)共振電路是一種在振蕩頻率fo點從外部看到的阻抗是無限大，在其他頻率處阻抗變小的電路。因此，如圖3. 35所示，電路的增益與并聯(lián)共振電路的阻抗曲線形狀完全相同，僅僅對振蕩頻率fo附近的信號進行選擇性放大。
圖3.34的電J路中，L1=L2一70nH，所以當C1-C2≈16pF時在150MHz諧振。實際的電路中，由于柵極的輸入電容以及布線電容等，所以用15pF的微調電容器就能夠在150MHz諧振。
在線圈上設置抽頭是為了設定輸入輸出阻抗為50Q，進行阻抗匹配。
這個電路是將高頻放大用N溝MOSFET 2SK241的源極直接接地。而且從直流角度看柵極是用L，接地的，所以工作在VGS=OV狀態(tài)。就是說與圖3.33的電路相同，都是在零偏置狀態(tài)下工作的。
但是2SK241是耗盡型MOSFET，所以對輸入信號的振幅沒有限制。
由于是在VGS—O狀態(tài)下，所以這時的漏極電流就是IDSS.2SK241的I檔IDSs=3.0～7．OmA，所以漏極電流分散在3.0～7．OmA的范圍之內。
由于是源極直接接地，所以電路的增益為gM×RD。這個電路中．RD是諧振電路的阻抗。
并聯(lián)共振電路的阻抗在共振頻率處為無窮大，所以理論上增益也是無窮大，不過實際電路的增益約為20dB。其原因是FET的源極內部等效電阻不等于零，而且諧振電路的阻抗也并不是無窮大。但是，電路的增益與所使用FET的g。（也有作為正向傳輸導納數(shù)據(jù)提供）成比例。
制作這個電路時，為了從諧振電路獲得足夠的增益，器件的選擇是十分重要的。諧振電路中使用的線圈應該在諧振頻率下具有足夠高的Q值(Q值是表征線圈質量優(yōu)劣的參數(shù)，如果串聯(lián)電阻為R,圖3.34的電路中，使用的是用聲一0.8的粗鍍錫線繞成的線圈。
為了使頻率特性向高頻方向延伸，電路的布線方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布線都應該粗而短（特別應該注意電源的連接線），盡量降低GND的阻抗。
這個電路是將源極接地放大電路的柵極偏置電路和漏極電阻置換為LC并聯(lián)共振電路（調諧電路）。
并聯(lián)共振電路是一種在振蕩頻率fo點從外部看到的阻抗是無限大，在其他頻率處阻抗變小的電路。因此，如圖3. 35所示，電路的增益與并聯(lián)共振電路的阻抗曲線形狀完全相同，僅僅對振蕩頻率fo附近的信號進行選擇性放大。
圖3.34的電J路中，L1=L2一70nH，所以當C1-C2≈16pF時在150MHz諧振。實際的電路中，由于柵極的輸入電容以及布線電容等，所以用15pF的微調電容器就能夠在150MHz諧振。
在線圈上設置抽頭是為了設定輸入輸出阻抗為50Q，進行阻抗匹配。
這個電路是將高頻放大用N溝MOSFET 2SK241的源極直接接地。而且從直流角度看柵極是用L，接地的，所以工作在VGS=OV狀態(tài)。就是說與圖3.33的電路相同，都是在零偏置狀態(tài)下工作的。
但是2SK241是耗盡型MOSFET，所以對輸入信號的振幅沒有限制。
由于是在VGS—O狀態(tài)下，所以這時的漏極電流就是IDSS.2SK241的I檔IDSs=3.0～7．OmA，所以漏極電流分散在3.0～7．OmA的范圍之內。
由于是源極直接接地，所以電路的增益為gM×RD。這個電路中．RD是諧振電路的阻抗。
并聯(lián)共振電路的阻抗在共振頻率處為無窮大，所以理論上增益也是無窮大，不過實際電路的增益約為20dB。其原因是FET的源極內部等效電阻不等于零，而且諧振電路的阻抗也并不是無窮大。但是，電路的增益與所使用FET的g。（也有作為正向傳輸導納數(shù)據(jù)提供）成比例。
制作這個電路時，為了從諧振電路獲得足夠的增益，器件的選擇是十分重要的。諧振電路中使用的線圈應該在諧振頻率下具有足夠高的Q值(Q值是表征線圈質量優(yōu)劣的參數(shù)，如果串聯(lián)電阻為R,圖3.34的電路中，使用的是用聲一0.8的粗鍍錫線繞成的線圈。
為了使頻率特性向高頻方向延伸，電路的布線方法是非常重要的。如照片3.8所示，各部分的布線都應該粗而短（特別應該注意電源的連接線），盡量降低GND的阻抗。
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相關技術資料- 8-16150MHz調諧放大電路
公網(wǎng)安備44030402000607
