脈沖平頂階段
發(fā)布時(shí)間:2012/11/13 18:19:28 訪問(wèn)次數(shù):708
脈;中前沿階段以VT1飽和導(dǎo)AD7224CQ通而結(jié)束,進(jìn)入脈沖的平頂階段。
由于VT1電流很大,它的發(fā)射極電流開(kāi)始對(duì)電容C2充電,使C2上的電壓上升,即VT1發(fā)射極電壓在升高。圖4-13所示是對(duì)電容C2充電回路示意圖。
在對(duì)C2充電期間,VT1集電極電流大,見(jiàn)如波形中1~2段;VT1集電極電壓Uc仍然為低電位,見(jiàn)酞波形中1~2段;VT1發(fā)射極電壓在升高,見(jiàn)UE波形中的l~2段。
脈沖后沿階段
隨著電容C2土充電電壓的升高,VT1發(fā)射極電壓升高,導(dǎo)致VT1基極與發(fā)射極之間正向偏置電壓下降。在2時(shí)刻因VT1基極和發(fā)射極之間正向電壓太小,VT1從飽和狀態(tài)退回到放大狀態(tài),并且VT1基極電流下降,其集電極電流下降。
此時(shí)VT1集電極上的振蕩信號(hào)電壓為正,即L2的下端為正,L2的上端為負(fù)。根據(jù)同名端標(biāo)記可知,此時(shí)L3的上端振蕩信電壓為負(fù),即VT1基極振蕩信號(hào)電壓為負(fù)(說(shuō)明基極信號(hào)電壓在下降),導(dǎo)致VT1基極電流進(jìn)一步下降,可見(jiàn)這是正反饋過(guò)程。
通過(guò)正反饋,VT1很快從飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),即在3時(shí)刻VT1進(jìn)入了截止?fàn)顟B(tài)。
在2~3時(shí)刻內(nèi),VT1集電極電流從很大下降到很小,見(jiàn)屁波形中2~3段;VT1集電極電壓從低電位突變到高電位,見(jiàn)Uc波形中2~3段;VT1發(fā)射極電壓因電容C2兩端電壓不能突變而基本不變,見(jiàn)魄波形中2~3段。
由于VT1電流很大,它的發(fā)射極電流開(kāi)始對(duì)電容C2充電,使C2上的電壓上升,即VT1發(fā)射極電壓在升高。圖4-13所示是對(duì)電容C2充電回路示意圖。
在對(duì)C2充電期間,VT1集電極電流大,見(jiàn)如波形中1~2段;VT1集電極電壓Uc仍然為低電位,見(jiàn)酞波形中1~2段;VT1發(fā)射極電壓在升高,見(jiàn)UE波形中的l~2段。
脈沖后沿階段
隨著電容C2土充電電壓的升高,VT1發(fā)射極電壓升高,導(dǎo)致VT1基極與發(fā)射極之間正向偏置電壓下降。在2時(shí)刻因VT1基極和發(fā)射極之間正向電壓太小,VT1從飽和狀態(tài)退回到放大狀態(tài),并且VT1基極電流下降,其集電極電流下降。
此時(shí)VT1集電極上的振蕩信號(hào)電壓為正,即L2的下端為正,L2的上端為負(fù)。根據(jù)同名端標(biāo)記可知,此時(shí)L3的上端振蕩信電壓為負(fù),即VT1基極振蕩信號(hào)電壓為負(fù)(說(shuō)明基極信號(hào)電壓在下降),導(dǎo)致VT1基極電流進(jìn)一步下降,可見(jiàn)這是正反饋過(guò)程。
通過(guò)正反饋,VT1很快從飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),即在3時(shí)刻VT1進(jìn)入了截止?fàn)顟B(tài)。
在2~3時(shí)刻內(nèi),VT1集電極電流從很大下降到很小,見(jiàn)屁波形中2~3段;VT1集電極電壓從低電位突變到高電位,見(jiàn)Uc波形中2~3段;VT1發(fā)射極電壓因電容C2兩端電壓不能突變而基本不變,見(jiàn)魄波形中2~3段。
脈;中前沿階段以VT1飽和導(dǎo)AD7224CQ通而結(jié)束,進(jìn)入脈沖的平頂階段。
由于VT1電流很大,它的發(fā)射極電流開(kāi)始對(duì)電容C2充電,使C2上的電壓上升,即VT1發(fā)射極電壓在升高。圖4-13所示是對(duì)電容C2充電回路示意圖。
在對(duì)C2充電期間,VT1集電極電流大,見(jiàn)如波形中1~2段;VT1集電極電壓Uc仍然為低電位,見(jiàn)酞波形中1~2段;VT1發(fā)射極電壓在升高,見(jiàn)UE波形中的l~2段。
脈沖后沿階段
隨著電容C2土充電電壓的升高,VT1發(fā)射極電壓升高,導(dǎo)致VT1基極與發(fā)射極之間正向偏置電壓下降。在2時(shí)刻因VT1基極和發(fā)射極之間正向電壓太小,VT1從飽和狀態(tài)退回到放大狀態(tài),并且VT1基極電流下降,其集電極電流下降。
此時(shí)VT1集電極上的振蕩信號(hào)電壓為正,即L2的下端為正,L2的上端為負(fù)。根據(jù)同名端標(biāo)記可知,此時(shí)L3的上端振蕩信電壓為負(fù),即VT1基極振蕩信號(hào)電壓為負(fù)(說(shuō)明基極信號(hào)電壓在下降),導(dǎo)致VT1基極電流進(jìn)一步下降,可見(jiàn)這是正反饋過(guò)程。
通過(guò)正反饋,VT1很快從飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),即在3時(shí)刻VT1進(jìn)入了截止?fàn)顟B(tài)。
在2~3時(shí)刻內(nèi),VT1集電極電流從很大下降到很小,見(jiàn)屁波形中2~3段;VT1集電極電壓從低電位突變到高電位,見(jiàn)Uc波形中2~3段;VT1發(fā)射極電壓因電容C2兩端電壓不能突變而基本不變,見(jiàn)魄波形中2~3段。
由于VT1電流很大,它的發(fā)射極電流開(kāi)始對(duì)電容C2充電,使C2上的電壓上升,即VT1發(fā)射極電壓在升高。圖4-13所示是對(duì)電容C2充電回路示意圖。
在對(duì)C2充電期間,VT1集電極電流大,見(jiàn)如波形中1~2段;VT1集電極電壓Uc仍然為低電位,見(jiàn)酞波形中1~2段;VT1發(fā)射極電壓在升高,見(jiàn)UE波形中的l~2段。
脈沖后沿階段
隨著電容C2土充電電壓的升高,VT1發(fā)射極電壓升高,導(dǎo)致VT1基極與發(fā)射極之間正向偏置電壓下降。在2時(shí)刻因VT1基極和發(fā)射極之間正向電壓太小,VT1從飽和狀態(tài)退回到放大狀態(tài),并且VT1基極電流下降,其集電極電流下降。
此時(shí)VT1集電極上的振蕩信號(hào)電壓為正,即L2的下端為正,L2的上端為負(fù)。根據(jù)同名端標(biāo)記可知,此時(shí)L3的上端振蕩信電壓為負(fù),即VT1基極振蕩信號(hào)電壓為負(fù)(說(shuō)明基極信號(hào)電壓在下降),導(dǎo)致VT1基極電流進(jìn)一步下降,可見(jiàn)這是正反饋過(guò)程。
通過(guò)正反饋,VT1很快從飽和狀態(tài)轉(zhuǎn)為截止?fàn)顟B(tài),即在3時(shí)刻VT1進(jìn)入了截止?fàn)顟B(tài)。
在2~3時(shí)刻內(nèi),VT1集電極電流從很大下降到很小,見(jiàn)屁波形中2~3段;VT1集電極電壓從低電位突變到高電位,見(jiàn)Uc波形中2~3段;VT1發(fā)射極電壓因電容C2兩端電壓不能突變而基本不變,見(jiàn)魄波形中2~3段。
上一篇:間歇場(chǎng)振蕩器
上一篇:間歇階段
熱門點(diǎn)擊
- LC串聯(lián)諧振電路阻抗特性
- 負(fù)反饋和正反饋判斷方法
- 后峰鋸齒波
- 乙二醇醚類溶劑
- X射線檢測(cè)儀
- 寬帶隨機(jī)振動(dòng)
- 使用電烙鐵應(yīng)注意的問(wèn)題
- 集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的電壓比較器
- 負(fù)反饋式低頻補(bǔ)償電路
- 傳感器安裝
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來(lái)看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖,F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 人形機(jī)器人市場(chǎng)未來(lái)發(fā)展格局前景預(yù)測(cè)
- 新一代航空器用激光雷達(dá)CES2
- SPAD-SoC集成1080-
- 全球首款1080線激光雷達(dá)應(yīng)用
- 激光雷達(dá)行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展新動(dòng)態(tài)
- AI時(shí)代存儲(chǔ)技術(shù)產(chǎn)品走向趨勢(shì)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究