混響器的分類(lèi)
發(fā)布時(shí)間:2012/11/17 1:05:14 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2552
1.混響器種類(lèi)
混響器按實(shí)現(xiàn)混響的手ECJ1VC1H220G段劃分有兩大類(lèi):
機(jī)械式混響器,它利用鋼板、金箔彈簧等手段來(lái)達(dá)到混響的目的;電子混晌器,它通過(guò)電子電路來(lái)實(shí)現(xiàn)混響,主要手段是對(duì)信號(hào)進(jìn)行延遲處理。
2.電子混響器種類(lèi)
在電子混響器中也有兩大類(lèi):模擬電子混響器,它實(shí)現(xiàn)延遲方便,但信噪比、失真率、動(dòng)態(tài)范圍和通頻帶方面指標(biāo)不夠理想;數(shù)字混響器,它利用數(shù)字技術(shù)克服模擬電子混響器的一些不足,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的混響。
模擬電子混響器
模擬電子混響器中的關(guān)鍵器件是BBD。BBD是英文Bucket-Brigade Devices的縮寫(xiě),意為斗鏈器件。
1.BBD
BBD的基本功能是電荷存儲(chǔ)和電荷轉(zhuǎn)移,這是一種由電荷耦合的模擬移位寄存器。BBD與其他半導(dǎo)體器件相比最根本的不同之處是它以電荷作為信號(hào),而不是以電流或電壓作為信號(hào)。
BBD已經(jīng)集成電路化,稱(chēng)為斗鏈?zhǔn)窖舆t集咸電路,它由大量的MOS(金屬.氧化物一半導(dǎo)體)電容器和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成。
2.BBD結(jié)構(gòu)
圖5-46所示是BBD的結(jié)構(gòu)示意圖。
電路中,VTl-1、VTl-2、…和VT2-1、VT2-2、是場(chǎng)效應(yīng)管,為電子開(kāi)關(guān)管。Cl-l、Cl-2、…和C2-1、C2-2、…是精密的MOS電容器。U是音頻輸入信號(hào),既是經(jīng)過(guò)延遲后的輸出信號(hào)。U、覘分別是用來(lái)控制兩組場(chǎng)效應(yīng)電子開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通、截止的脈沖信號(hào)。
3.工作原理
圖5-47所示是BBD等效電路。VTI-1 VT2-1 VTI-2VT2-2 VTl-3 VT2-3圖5-47 BBD等效電路
BBD電路的工作原理是:當(dāng)“為高電平時(shí),VTl-1、VTl-2、VTl-3等接通,此時(shí)VT2-1、VT2-2、VT2-3斷開(kāi),這樣輸入信號(hào)U經(jīng)導(dǎo)通的VTl-1對(duì)電容Cl-l充電,C2-1內(nèi)原先儲(chǔ)存的電荷經(jīng)已導(dǎo)通的VTl-2對(duì)Cl-2充電(稱(chēng)為電荷轉(zhuǎn)移到Cl-2中)。
同理,C2-2中的電荷經(jīng)已導(dǎo)通的VTl-3轉(zhuǎn)移到Cl-3中。
當(dāng)∽為高電平時(shí),VT2-1、VT2-2、VT2-3等導(dǎo)通(圖示狀態(tài)).此時(shí)VTl-1、VTl-2、VTl-3等管截止,這樣Cl-l中的電荷轉(zhuǎn)移到C2-1中,Cl-2中的電荷轉(zhuǎn)移到C2-2中……
當(dāng)“、鞏不斷高、低電平變化時(shí),輸入信號(hào)“便通過(guò)BBD從輸出端輸出,由電荷的轉(zhuǎn)移過(guò)程獲得延遲,這樣實(shí)現(xiàn)阢滯后于“的延遲功能。
1.混響器種類(lèi)
混響器按實(shí)現(xiàn)混響的手ECJ1VC1H220G段劃分有兩大類(lèi):
機(jī)械式混響器,它利用鋼板、金箔彈簧等手段來(lái)達(dá)到混響的目的;電子混晌器,它通過(guò)電子電路來(lái)實(shí)現(xiàn)混響,主要手段是對(duì)信號(hào)進(jìn)行延遲處理。
2.電子混響器種類(lèi)
在電子混響器中也有兩大類(lèi):模擬電子混響器,它實(shí)現(xiàn)延遲方便,但信噪比、失真率、動(dòng)態(tài)范圍和通頻帶方面指標(biāo)不夠理想;數(shù)字混響器,它利用數(shù)字技術(shù)克服模擬電子混響器的一些不足,實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的混響。
模擬電子混響器
模擬電子混響器中的關(guān)鍵器件是BBD。BBD是英文Bucket-Brigade Devices的縮寫(xiě),意為斗鏈器件。
1.BBD
BBD的基本功能是電荷存儲(chǔ)和電荷轉(zhuǎn)移,這是一種由電荷耦合的模擬移位寄存器。BBD與其他半導(dǎo)體器件相比最根本的不同之處是它以電荷作為信號(hào),而不是以電流或電壓作為信號(hào)。
BBD已經(jīng)集成電路化,稱(chēng)為斗鏈?zhǔn)窖舆t集咸電路,它由大量的MOS(金屬.氧化物一半導(dǎo)體)電容器和場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成。
2.BBD結(jié)構(gòu)
圖5-46所示是BBD的結(jié)構(gòu)示意圖。
電路中,VTl-1、VTl-2、…和VT2-1、VT2-2、是場(chǎng)效應(yīng)管,為電子開(kāi)關(guān)管。Cl-l、Cl-2、…和C2-1、C2-2、…是精密的MOS電容器。U是音頻輸入信號(hào),既是經(jīng)過(guò)延遲后的輸出信號(hào)。U、覘分別是用來(lái)控制兩組場(chǎng)效應(yīng)電子開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通、截止的脈沖信號(hào)。
3.工作原理
圖5-47所示是BBD等效電路。VTI-1 VT2-1 VTI-2VT2-2 VTl-3 VT2-3圖5-47 BBD等效電路
BBD電路的工作原理是:當(dāng)“為高電平時(shí),VTl-1、VTl-2、VTl-3等接通,此時(shí)VT2-1、VT2-2、VT2-3斷開(kāi),這樣輸入信號(hào)U經(jīng)導(dǎo)通的VTl-1對(duì)電容Cl-l充電,C2-1內(nèi)原先儲(chǔ)存的電荷經(jīng)已導(dǎo)通的VTl-2對(duì)Cl-2充電(稱(chēng)為電荷轉(zhuǎn)移到Cl-2中)。
同理,C2-2中的電荷經(jīng)已導(dǎo)通的VTl-3轉(zhuǎn)移到Cl-3中。
當(dāng)∽為高電平時(shí),VT2-1、VT2-2、VT2-3等導(dǎo)通(圖示狀態(tài)).此時(shí)VTl-1、VTl-2、VTl-3等管截止,這樣Cl-l中的電荷轉(zhuǎn)移到C2-1中,Cl-2中的電荷轉(zhuǎn)移到C2-2中……
當(dāng)“、鞏不斷高、低電平變化時(shí),輸入信號(hào)“便通過(guò)BBD從輸出端輸出,由電荷的轉(zhuǎn)移過(guò)程獲得延遲,這樣實(shí)現(xiàn)阢滯后于“的延遲功能。
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