內(nèi)電路中的壓控振蕩器(VCO)電路
發(fā)布時(shí)間:2012/11/27 19:37:45 訪問次數(shù):1026
圖5-152所示是集成電路TA7343P內(nèi)電路ALPU-05-1033中壓控振蕩器( VCO)。電路中,集成電路④腳外接振蕩電容1C51和振蕩頻率調(diào)整元件1R23、1RP1。Uo為這一振蕩器輸出的76kHz矩形脈沖信號。
電路中的VT4和VT7構(gòu)成差分放大器,VT3和VT6分別是VT4和VT7的有源集電極負(fù)載,VT9構(gòu)成VT4和VT7的發(fā)射極恒流源。
在電源接通瞬間,因?yàn)殡娙?C51兩端的電壓不能發(fā)生突變,④腳電壓等于+Vcc。這一電壓經(jīng)電阻Rl加到VT4基極,使VT4基極電壓為最高,導(dǎo)致VT4飽和導(dǎo)通,使VT7截止。VT4導(dǎo)通后其集電極為低電平,使VT3獲得正向偏置而導(dǎo)通,其集電極輸出的高電平加到VT2和VT8基極,使這兩只管子導(dǎo)通。
由于VT8導(dǎo)通,輸出信號砜為低電平,其經(jīng)R2加到VT7基極,使VT7保持截止?fàn)顟B(tài)。
由于VT2導(dǎo)通,構(gòu)成了1C51的充電回路,即直流工作電壓+Vcc—1C51一集成電路的④腳一R3一VT2集電極一VT2發(fā)射極一VT10發(fā)射極一VT10集電極一地端。圖5-153所示是這一充電電流回路示意圖。
隨著對1C51充電的進(jìn)行,電路中的A點(diǎn)電壓下降,當(dāng)A點(diǎn)電壓下降到一定程度(低于VT7基極電壓)時(shí),VT4由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止,VT7則由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。由于VT4截止,其集電極為高電平,導(dǎo)致VT3截止,其集電極輸出低電平,加到了VT2和VT8基極,使這兩只三極管截止。
由于VT8截止,輸出信號砜變?yōu)楦唠娖,VT7基極因變?yōu)楦唠娖蕉筕T7保持導(dǎo)通狀態(tài)。
由于VT2截止,斷開了1C51充電回路,這樣原先該電容上充得的電壓通過1RP1和1R23放電。隨著這一放電的進(jìn)行,集成電路的④腳電壓升高,即VT4基極電壓在升高,當(dāng)升高到一定程度(高于VT7基極電壓)時(shí),VT4再次導(dǎo)通,進(jìn)行第二個(gè)周期的振蕩。
通過上述電路分析可知,1C51的不斷充電、放電使振蕩器發(fā)生振蕩,振蕩周期由1C51的充電、放電時(shí)間常數(shù)決定,其中主要由1C51的放電時(shí)間常數(shù)決定,放電時(shí)間常數(shù)由1C51、1R23和1RP1決定,改變1RP1的阻值便可以調(diào)整這一振蕩器的振蕩頻率,所以1RP1為振蕩頻率微調(diào)電阻器。
圖5-152所示是集成電路TA7343P內(nèi)電路ALPU-05-1033中壓控振蕩器( VCO)。電路中,集成電路④腳外接振蕩電容1C51和振蕩頻率調(diào)整元件1R23、1RP1。Uo為這一振蕩器輸出的76kHz矩形脈沖信號。
電路中的VT4和VT7構(gòu)成差分放大器,VT3和VT6分別是VT4和VT7的有源集電極負(fù)載,VT9構(gòu)成VT4和VT7的發(fā)射極恒流源。
在電源接通瞬間,因?yàn)殡娙?C51兩端的電壓不能發(fā)生突變,④腳電壓等于+Vcc。這一電壓經(jīng)電阻Rl加到VT4基極,使VT4基極電壓為最高,導(dǎo)致VT4飽和導(dǎo)通,使VT7截止。VT4導(dǎo)通后其集電極為低電平,使VT3獲得正向偏置而導(dǎo)通,其集電極輸出的高電平加到VT2和VT8基極,使這兩只管子導(dǎo)通。
由于VT8導(dǎo)通,輸出信號砜為低電平,其經(jīng)R2加到VT7基極,使VT7保持截止?fàn)顟B(tài)。
由于VT2導(dǎo)通,構(gòu)成了1C51的充電回路,即直流工作電壓+Vcc—1C51一集成電路的④腳一R3一VT2集電極一VT2發(fā)射極一VT10發(fā)射極一VT10集電極一地端。圖5-153所示是這一充電電流回路示意圖。
隨著對1C51充電的進(jìn)行,電路中的A點(diǎn)電壓下降,當(dāng)A點(diǎn)電壓下降到一定程度(低于VT7基極電壓)時(shí),VT4由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止,VT7則由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。由于VT4截止,其集電極為高電平,導(dǎo)致VT3截止,其集電極輸出低電平,加到了VT2和VT8基極,使這兩只三極管截止。
由于VT8截止,輸出信號砜變?yōu)楦唠娖剑琕T7基極因變?yōu)楦唠娖蕉筕T7保持導(dǎo)通狀態(tài)。
由于VT2截止,斷開了1C51充電回路,這樣原先該電容上充得的電壓通過1RP1和1R23放電。隨著這一放電的進(jìn)行,集成電路的④腳電壓升高,即VT4基極電壓在升高,當(dāng)升高到一定程度(高于VT7基極電壓)時(shí),VT4再次導(dǎo)通,進(jìn)行第二個(gè)周期的振蕩。
通過上述電路分析可知,1C51的不斷充電、放電使振蕩器發(fā)生振蕩,振蕩周期由1C51的充電、放電時(shí)間常數(shù)決定,其中主要由1C51的放電時(shí)間常數(shù)決定,放電時(shí)間常數(shù)由1C51、1R23和1RP1決定,改變1RP1的阻值便可以調(diào)整這一振蕩器的振蕩頻率,所以1RP1為振蕩頻率微調(diào)電阻器。
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