1.場效應管串聯(lián)衰減式BCM7400KKFEB8G音量控制器
    圖7-23所示是一種采用MOSFET(金屬-氧化物．半導體場效應管)的串聯(lián)衰減式音量控制器電路。電路中，G極電壓UG由電位器控制，場效應管內阻受UG控制。改變場效應管內阻時，輸入VT1的音頻信號將隨之變化。漏極與源極之間電壓UDS大時，音量��；反之音量大。

            
    2．負反饋式場效應管音量控制器
    圖7-24所示是另一種負反饋式場效應管音量控制器電路。
    結型場效應管設在負反饋電路中，場效應管漏極與漂極之間內阻與Rl并聯(lián)后，與R2構成負反饋電路。場效應管漏極與源極之間內阻愈小，負反饋量愈小，放大器增益愈大，音量愈大；反之音量愈��；而場效應管漏極與源極之間內阻又受場效應管柵極電壓控制。