1．變?nèi)荻䴓O管工作原理
    變?nèi)荻䴓O管也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，為了獲PLR253得較大的結(jié)電容，變?nèi)荻䴓O管做成面接觸型或階梯接觸型，以擴(kuò)大接觸面，增大結(jié)電容。
    變?nèi)荻䴓O管工作時(shí)處于反向侗置狀態(tài)，即負(fù)極上的電壓大于正極上的電壓。當(dāng)反向偏置電壓增大時(shí)，PN結(jié)的阻擋層變厚，相當(dāng)于電容器兩極板之間的距離增大，這樣結(jié)電容下降，反向偏置電壓愈大，結(jié)電容愈小。    ‘
    圖9-14所示是變?nèi)荻䴓O管等效電路，它等效成一只可變—毒p—CRs一電容C。和電阻R、的串聯(lián)電路，其中電容Cd就是結(jié)電容。變?nèi)荻䴓O管等效電路般電路分析中，可以不計(jì)等效電路中的電阻R。。
    2．變?nèi)荻䴓O管主要參數(shù)
    (1)品質(zhì)因數(shù)Q。品質(zhì)因數(shù)Q=l/2兀，要求Q值必須足夠的大，以保證調(diào)諧電路的Q值。串聯(lián)電阻足會(huì)使變?nèi)?極管產(chǎn)生損耗，這種損耗愈大，品質(zhì)因數(shù)a愈小，變?nèi)荻䴓O管的質(zhì)量愈差。
    (2)截止頻率矗。當(dāng)頻率增高時(shí)，Q值要下降，當(dāng)Q值下降到l時(shí)的頻率為截止頻率，如圖9-15所示是變?nèi)荻䴓O管頻率與Q值之間的關(guān)系特性曲線。
    (3)電容變化比。變?nèi)荻䴓O管在零偏壓時(shí)的結(jié)電容與在擊穿電壓時(shí)的結(jié)電容之比稱為電容變化比。電容變化比大，調(diào)諧頻率范圍大。

             
    變?nèi)荻䴓O管的容量變化范圍一般為5～300pF。
    (4)擊穿電壓。變?nèi)荻䴓O管擊穿電壓較高，一般15～90V。
    3．變?nèi)荻䴓O管反向電壓一容量特性曲線
    圖9-16所示是變?nèi)荻䴓O管反向電壓一容量特性曲線，從曲線中可以看出，反向偏置電壓愈大，其容量愈小。