普通電容器的標(biāo)示
發(fā)布時(shí)間:2013/1/15 19:57:51 訪問(wèn)次數(shù):1535
普通電容器的標(biāo)示常有四MAX1005CEE種方法,即直標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法、文字符號(hào)法和色標(biāo)法。
(1)直標(biāo)法
直標(biāo)法是將電容的標(biāo)稱容量、耐壓及偏差直接標(biāo)在電容體上。例如,4700 p)F、25V、0.22pdF±10%、220MFD(220 V,F) ±0.5%。若是零點(diǎn)零幾,常把整數(shù)位的“0”省去,如.Ol Y,F表示0.01pLF。體積大的電容器常采用此種方法標(biāo)注。常見(jiàn)的電容直標(biāo)法如圖2.1所示。
(2)數(shù)標(biāo)法
數(shù)標(biāo)法又稱數(shù)碼法,它一般用三位數(shù)字來(lái)表示容量的大小,一般電容器其單位默認(rèn)為pF,電解電容器單位默認(rèn)為V,F。其中,前兩位為有效數(shù)字,后一位表示倍率,即乘以10為第三位數(shù)字,若第三位數(shù)字9,則乘10。例如,223J代表22xl03pF= 22000pF=0.22VF,允許誤差為簽%;又如,479K代表47 xl0 -1pF、允許誤差為±5010的電容,103為10×l03pF= lOnF,474為47×l04pF=470nF。這種表示方法在瓷片電容最為常見(jiàn)。常見(jiàn)的電容數(shù)標(biāo)法如圖2.2所示。
普通電容器的標(biāo)示常有四MAX1005CEE種方法,即直標(biāo)法、數(shù)標(biāo)法、文字符號(hào)法和色標(biāo)法。
(1)直標(biāo)法
直標(biāo)法是將電容的標(biāo)稱容量、耐壓及偏差直接標(biāo)在電容體上。例如,4700 p)F、25V、0.22pdF±10%、220MFD(220 V,F) ±0.5%。若是零點(diǎn)零幾,常把整數(shù)位的“0”省去,如.Ol Y,F表示0.01pLF。體積大的電容器常采用此種方法標(biāo)注。常見(jiàn)的電容直標(biāo)法如圖2.1所示。
(2)數(shù)標(biāo)法
數(shù)標(biāo)法又稱數(shù)碼法,它一般用三位數(shù)字來(lái)表示容量的大小,一般電容器其單位默認(rèn)為pF,電解電容器單位默認(rèn)為V,F。其中,前兩位為有效數(shù)字,后一位表示倍率,即乘以10為第三位數(shù)字,若第三位數(shù)字9,則乘10。例如,223J代表22xl03pF= 22000pF=0.22VF,允許誤差為簽%;又如,479K代表47 xl0 -1pF、允許誤差為±5010的電容,103為10×l03pF= lOnF,474為47×l04pF=470nF。這種表示方法在瓷片電容最為常見(jiàn)。常見(jiàn)的電容數(shù)標(biāo)法如圖2.2所示。
上一篇:標(biāo)稱容量和允許偏差
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 場(chǎng)效應(yīng)管三種基本組態(tài)電路
- 電感器電流不能發(fā)生突變特性解說(shuō)
- 大功率三極管
- 幾種特殊三極管的外形及特點(diǎn)
- 退耦電容電路
- 用數(shù)字式萬(wàn)用表測(cè)試光敏電阻
- 普通電容器的標(biāo)示
- 利用二極管單向?qū)щ娞匦苑治稣麟娐贩椒ń庹f(shuō)
- 白色發(fā)光二極管基礎(chǔ)知識(shí)
- 二極管故障處理解說(shuō)
推薦技術(shù)資料
- 中國(guó)傳媒大學(xué)傳媒博物館開(kāi)
- 傳媒博物館開(kāi)館儀式隆童舉行。教育都i國(guó)家廣電總局等部門(mén)... [詳細(xì)]
- 車(chē)載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究