MOS晶體管
發(fā)布時間:2013/2/22 20:03:42 訪問次數(shù):1099
MOS晶體管的兩個種類、n溝道型與p溝道CLC005AJE-TR13型在和中已經(jīng)介紹過了，將這兩種晶體管一起構(gòu)成的電路稱為CMOS（相輔型MOS）。相輔型是p溝道型和n溝道型的MOS晶體管相互輔助的意思。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復(fù)雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機(jī)、手提電腦等電池備份型移動設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。
是p型硅基板的CMOS結(jié)構(gòu)模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠?qū)щ姷碾s質(zhì)，這種雜質(zhì)稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據(jù)使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據(jù)雜質(zhì)導(dǎo)電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側(cè)使用n型多晶硅，在p溝道側(cè)使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據(jù)硅基板的導(dǎo)電型、柵極電極的導(dǎo)電型與阱結(jié)構(gòu)類型的不同而進(jìn)行分類的CMOS例子。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復(fù)雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機(jī)、手提電腦等電池備份型移動設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。
是p型硅基板的CMOS結(jié)構(gòu)模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠?qū)щ姷碾s質(zhì)，這種雜質(zhì)稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據(jù)使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據(jù)雜質(zhì)導(dǎo)電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側(cè)使用n型多晶硅，在p溝道側(cè)使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據(jù)硅基板的導(dǎo)電型、柵極電極的導(dǎo)電型與阱結(jié)構(gòu)類型的不同而進(jìn)行分類的CMOS例子。
MOS晶體管的兩個種類、n溝道型與p溝道CLC005AJE-TR13型在和中已經(jīng)介紹過了，將這兩種晶體管一起構(gòu)成的電路稱為CMOS（相輔型MOS）。相輔型是p溝道型和n溝道型的MOS晶體管相互輔助的意思。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復(fù)雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機(jī)、手提電腦等電池備份型移動設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。
是p型硅基板的CMOS結(jié)構(gòu)模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠?qū)щ姷碾s質(zhì)，這種雜質(zhì)稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據(jù)使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據(jù)雜質(zhì)導(dǎo)電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側(cè)使用n型多晶硅，在p溝道側(cè)使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據(jù)硅基板的導(dǎo)電型、柵極電極的導(dǎo)電型與阱結(jié)構(gòu)類型的不同而進(jìn)行分類的CMOS例子。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復(fù)雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機(jī)、手提電腦等電池備份型移動設(shè)備的出現(xiàn)成為可能。
是p型硅基板的CMOS結(jié)構(gòu)模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠?qū)щ姷碾s質(zhì)，這種雜質(zhì)稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據(jù)使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據(jù)雜質(zhì)導(dǎo)電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側(cè)使用n型多晶硅，在p溝道側(cè)使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據(jù)硅基板的導(dǎo)電型、柵極電極的導(dǎo)電型與阱結(jié)構(gòu)類型的不同而進(jìn)行分類的CMOS例子。
上一篇：代表性晶體管的種類
相關(guān)技術(shù)資料- 2-22MOS晶體管
熱門點擊
- 場效應(yīng)管的符號
- 什么是壓電蜂鳴器
- 顯示譯碼器
- 稀土永磁合金的晶體結(jié)構(gòu)
- 常用保險器件及其作用
- 集成穩(wěn)壓器有哪些種類
- 怎樣理解光電三極管的參數(shù)
- 光敏電阻器有何特點與作用
- 群延遲錯誤
- 無鉛壓電陶瓷鈦酸鉍鈉的研究進(jìn)展
推薦技術(shù)資料
- 全集成直接飛行時間（dToF）傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場發(fā)展趨勢未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
