模擬所需的最重要的參數(shù)是ICD3彈波材料的楊氏模量和整個(gè)系統(tǒng)的損耗因數(shù)。
    彈波材料的楊氏模量是通過反演法獲得的。制作一個(gè)如圖5所示的實(shí)驗(yàn)用驅(qū)動(dòng)器，雙彈波但沒有振膜。因?yàn)檫@個(gè)系統(tǒng)的質(zhì)量是很容易得到的，下面只要調(diào)整數(shù)值模型的參數(shù)，使得數(shù)值模型的共振頻率與實(shí)驗(yàn)用驅(qū)動(dòng)器測出來的阻抗曲線（圖6）的共振頻率吻合。

            
    圖6計(jì)算彈波材料的楊氏模量的實(shí)驗(yàn)用驅(qū)動(dòng)器的電阻抗曲線
    整個(gè)系統(tǒng)的損耗因數(shù)是通過調(diào)整振膜位移，使其為單自由度( SDOF)系統(tǒng)。而這里所用的數(shù)值模型和實(shí)驗(yàn)用模型都是完整的振動(dòng)系統(tǒng)，包括振膜。
    圖7是在輸入電壓為10V、15V和20V的情況下，用Klippel Analyzer sys-tem[10]測量得到實(shí)驗(yàn)用揚(yáng)聲器單元的振膜位移。
    通過調(diào)節(jié)阻尼矩陣[C]中的系數(shù)口和盧，可以得到合適的損耗因數(shù)，使其完全符合SDOF系統(tǒng)。這樣，數(shù)值模擬結(jié)果和實(shí)驗(yàn)結(jié)果就可以完全吻合。