單結(jié)晶體管的參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2013/3/4 20:25:15 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1710
單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有分壓比、峰點(diǎn)電204-10SUGC/S400-A5壓與電流、谷點(diǎn)電壓與電流、調(diào)制電流和耗散功率等。
1.分壓比
分壓比田是指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至第一基極B.間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)占兩基極間電壓的比例,如圖1-96所示。7是單結(jié)晶體管很重要的參數(shù),一般為0.3~0.9,是由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)。
2.峰點(diǎn)電壓與電流
峰點(diǎn)電壓以是指單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B.間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流,如圖1-94中的特性曲線(xiàn)所示。
3.谷點(diǎn)電壓與電流
谷點(diǎn)電壓U。是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B.間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流,如圖1-94中的特性曲線(xiàn)圖1-96分壓比的概念。
單結(jié)晶體管可以用萬(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè),
1.檢測(cè)兩基極間電阻
檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“R×lk”擋,兩表筆(不分正、負(fù))接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)引腳,如圖1-97所示,讀數(shù)應(yīng)為3—10KQ。
2.檢測(cè)PN結(jié)
檢測(cè)PN結(jié)正向電阻時(shí)(以N基極管為例,下同),萬(wàn)用表黑表筆(表內(nèi)電池正極)接發(fā)射極E,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)方法如下:圖1-97檢測(cè)兩基極間電阻極)分別接兩個(gè)基極,如圖1-98所示,讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)kQ。
檢測(cè)PN結(jié)反向電阻時(shí),改為萬(wàn)用表紅表筆接發(fā)射極E,黑表筆分別接兩個(gè)基極,如圖1-99所示,讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符,則說(shuō)明被測(cè)單結(jié)晶體管已損壞。
單結(jié)晶體管的主要參數(shù)有分壓比、峰點(diǎn)電204-10SUGC/S400-A5壓與電流、谷點(diǎn)電壓與電流、調(diào)制電流和耗散功率等。
1.分壓比
分壓比田是指單結(jié)晶體管發(fā)射極E至第一基極B.間的電壓(不包括PN結(jié)管壓降)占兩基極間電壓的比例,如圖1-96所示。7是單結(jié)晶體管很重要的參數(shù),一般為0.3~0.9,是由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的常數(shù)。
2.峰點(diǎn)電壓與電流
峰點(diǎn)電壓以是指單結(jié)晶體管剛開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B.間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做峰點(diǎn)電流,如圖1-94中的特性曲線(xiàn)所示。
3.谷點(diǎn)電壓與電流
谷點(diǎn)電壓U。是指單結(jié)晶體管由負(fù)阻區(qū)開(kāi)始進(jìn)入飽和區(qū)時(shí)的發(fā)射極E與第一基極B.間的電壓,其所對(duì)應(yīng)的發(fā)射極電流叫做谷點(diǎn)電流,如圖1-94中的特性曲線(xiàn)圖1-96分壓比的概念。
單結(jié)晶體管可以用萬(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè),
1.檢測(cè)兩基極間電阻
檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于“R×lk”擋,兩表筆(不分正、負(fù))接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個(gè)引腳,如圖1-97所示,讀數(shù)應(yīng)為3—10KQ。
2.檢測(cè)PN結(jié)
檢測(cè)PN結(jié)正向電阻時(shí)(以N基極管為例,下同),萬(wàn)用表黑表筆(表內(nèi)電池正極)接發(fā)射極E,紅表筆(表內(nèi)電池負(fù)方法如下:圖1-97檢測(cè)兩基極間電阻極)分別接兩個(gè)基極,如圖1-98所示,讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)kQ。
檢測(cè)PN結(jié)反向電阻時(shí),改為萬(wàn)用表紅表筆接發(fā)射極E,黑表筆分別接兩個(gè)基極,如圖1-99所示,讀數(shù)均應(yīng)為無(wú)窮大。如果測(cè)量結(jié)果與上述不符,則說(shuō)明被測(cè)單結(jié)晶體管已損壞。
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 磁路的設(shè)計(jì)策劃及FEMM模擬
- 判別電解電容器正負(fù)極
- 理想電流表與理想電壓表
- 可調(diào)負(fù)穩(wěn)壓
- 保護(hù)二極管的作用
- 中國(guó)釹鐵硼永磁材料主要原材料價(jià)格及預(yù)測(cè)
- 集成運(yùn)放有哪些作用
- 光敏晶體管——光電轉(zhuǎn)換放大
- 影響混響室測(cè)量的因素
- 最大輸出功率和電源效率
推薦技術(shù)資料
- 電動(dòng)吸錫烙鐵
- 用12V/2A的電源為電磁閥和泵供電,F(xiàn)QPF9N50... [詳細(xì)]
- 車(chē)載顯示技術(shù)AR
- 2 納米工藝 A18 Pro 芯片參數(shù)技術(shù)應(yīng)
- 新一代 HBM3/HBM3e
- NAND FLASH控制器芯片
- SoC芯片架構(gòu)設(shè)計(jì)
- 嵌入式存儲(chǔ)芯片PPI Nand
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究