晶閘管有哪些參數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2013/3/25 20:10:40 訪問(wèn)次數(shù):922
晶閘管有哪些參數(shù)?
晶閘管的參數(shù)包括電壓參數(shù)、電流參數(shù)、控制極參VND14NV04數(shù)及動(dòng)態(tài)參數(shù)等,其參數(shù)及含義如表1-37所示。
oG根據(jù)集成電路功能結(jié)構(gòu)分類
根據(jù)集成電路功能結(jié)構(gòu),可分為數(shù)字集成電路、模擬集成電路兩大類。數(shù)字集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào),指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào),如VCD、DVD重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào);模擬集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào),指幅度隨時(shí)間連續(xù)變化的信號(hào),如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁常信號(hào)等。
數(shù)字集成電路
數(shù)字集成電路又分為厚膜集成電路、薄膜集成電路、混合集成電路、半導(dǎo)體集成電路。
厚膜集成電路是指采用絲網(wǎng)漏、高溫?zé)Y(jié)成膜、等離子噴涂等厚膜技術(shù),將組成電路的電子元器件以厚膜的形式制作在絕緣基片上所構(gòu)成的集成電路。由于厚膜元器件的膜厚一般為幾微米至幾十微米,與薄膜元器件相比,厚度較厚,因此稱為厚膜集成電路。如圖1- 28所示為厚膜集成電路實(shí)物圖。
薄膜集成電路是指用真空蒸發(fā)、濺射、光刻為基本工藝的薄膜技術(shù),將組成電路的電子元器件以薄膜的形式制作在絕緣片上所構(gòu)成的集成電路。由于薄膜元器件的膜厚通常低于1斗m,相比厚膜較薄,因此稱為薄膜集成電路。其特點(diǎn)為電阻、電容數(shù)值控制較精確,且數(shù)值范圍寬,但集成度不高,有兩種材料結(jié)構(gòu)形式(薄膜場(chǎng)效應(yīng)硫化鎘或硒化鎘晶體管、薄膜熱電子放大器),主要用于線性電路。如圖1- 29所示為薄膜集成電路實(shí)物圖。
圖1-28厚膜集成電路實(shí)物圖 圖1-29薄膜集成電路實(shí)物圖
混合集成電路是采用混合技術(shù)制造的集成電路,是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜組件及其互連線,并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型組件混合組裝,再外加封裝而成。其特點(diǎn)是組裝密度大、可靠性高、電性能好等;旌霞呻娐酚址譃閱纹旌霞呻娐、厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路、微波混合集成電路。主要用于模擬集成電路、微波集成電路、光電集成電路,或用于電壓較高、電流較大的專用電路中,在徼波領(lǐng)域中的應(yīng)用尤為突出。
半導(dǎo)體集成電路是指用外延、光刻、擴(kuò)散以及離子注入等半導(dǎo)體工藝的技術(shù)將晶體管、二極管等有源組件和電阻器、電容器等無(wú)源組件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體單芯片上,并用PN結(jié)或介質(zhì)生長(zhǎng)法進(jìn)行隔離,用金屬蒸發(fā)進(jìn)行互連所構(gòu)成的集成電路。
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晶閘管的參數(shù)包括電壓參數(shù)、電流參數(shù)、控制極參VND14NV04數(shù)及動(dòng)態(tài)參數(shù)等,其參數(shù)及含義如表1-37所示。
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根據(jù)集成電路功能結(jié)構(gòu),可分為數(shù)字集成電路、模擬集成電路兩大類。數(shù)字集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種數(shù)字信號(hào),指在時(shí)間上和幅度上離散取值的信號(hào),如VCD、DVD重放的音頻信號(hào)和視頻信號(hào);模擬集成電路用來(lái)產(chǎn)生、放大和處理各種模擬信號(hào),指幅度隨時(shí)間連續(xù)變化的信號(hào),如半導(dǎo)體收音機(jī)的音頻信號(hào)、錄放機(jī)的磁常信號(hào)等。
數(shù)字集成電路
數(shù)字集成電路又分為厚膜集成電路、薄膜集成電路、混合集成電路、半導(dǎo)體集成電路。
厚膜集成電路是指采用絲網(wǎng)漏、高溫?zé)Y(jié)成膜、等離子噴涂等厚膜技術(shù),將組成電路的電子元器件以厚膜的形式制作在絕緣基片上所構(gòu)成的集成電路。由于厚膜元器件的膜厚一般為幾微米至幾十微米,與薄膜元器件相比,厚度較厚,因此稱為厚膜集成電路。如圖1- 28所示為厚膜集成電路實(shí)物圖。
薄膜集成電路是指用真空蒸發(fā)、濺射、光刻為基本工藝的薄膜技術(shù),將組成電路的電子元器件以薄膜的形式制作在絕緣片上所構(gòu)成的集成電路。由于薄膜元器件的膜厚通常低于1斗m,相比厚膜較薄,因此稱為薄膜集成電路。其特點(diǎn)為電阻、電容數(shù)值控制較精確,且數(shù)值范圍寬,但集成度不高,有兩種材料結(jié)構(gòu)形式(薄膜場(chǎng)效應(yīng)硫化鎘或硒化鎘晶體管、薄膜熱電子放大器),主要用于線性電路。如圖1- 29所示為薄膜集成電路實(shí)物圖。
圖1-28厚膜集成電路實(shí)物圖 圖1-29薄膜集成電路實(shí)物圖
混合集成電路是采用混合技術(shù)制造的集成電路,是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜組件及其互連線,并在同一基片上將分立的半導(dǎo)體芯片、單片集成電路或微型組件混合組裝,再外加封裝而成。其特點(diǎn)是組裝密度大、可靠性高、電性能好等;旌霞呻娐酚址譃閱纹旌霞呻娐、厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路、微波混合集成電路。主要用于模擬集成電路、微波集成電路、光電集成電路,或用于電壓較高、電流較大的專用電路中,在徼波領(lǐng)域中的應(yīng)用尤為突出。
半導(dǎo)體集成電路是指用外延、光刻、擴(kuò)散以及離子注入等半導(dǎo)體工藝的技術(shù)將晶體管、二極管等有源組件和電阻器、電容器等無(wú)源組件,按照一定的電路互連,“集成”在一塊半導(dǎo)體單芯片上,并用PN結(jié)或介質(zhì)生長(zhǎng)法進(jìn)行隔離,用金屬蒸發(fā)進(jìn)行互連所構(gòu)成的集成電路。
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