根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝分類
發(fā)布時間:2013/3/25 20:13:42 訪問次數(shù):1089
根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝,可分為單極L9823型集成電路、雙極型集成電路兩大類。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成,由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電,因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管,由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路,或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件,特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路,而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成,由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性,因此稱為雙極型集成電路,或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件,特點是速度快、負載能力強,但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(P溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(N溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構(gòu)成的集成電路(互補場效應(yīng)晶體管系列),稱為互補型MOS集成電路,簡寫成CMOS集成電路,此類電路包括基本CMOS系列(4000系列)、高速CMOS系列(即HCMOS集成電路,由高密度互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路)、先進CMOS系列(即AC/ACT集成電路)。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成,由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電,因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管,由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路,或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件,特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路,而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成,由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性,因此稱為雙極型集成電路,或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件,特點是速度快、負載能力強,但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(P溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(N溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構(gòu)成的集成電路(互補場效應(yīng)晶體管系列),稱為互補型MOS集成電路,簡寫成CMOS集成電路,此類電路包括基本CMOS系列(4000系列)、高速CMOS系列(即HCMOS集成電路,由高密度互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路)、先進CMOS系列(即AC/ACT集成電路)。
根據(jù)半導(dǎo)體集成電路工藝,可分為單極L9823型集成電路、雙極型集成電路兩大類。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成,由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電,因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管,由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路,或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件,特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路,而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成,由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性,因此稱為雙極型集成電路,或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件,特點是速度快、負載能力強,但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(P溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(N溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構(gòu)成的集成電路(互補場效應(yīng)晶體管系列),稱為互補型MOS集成電路,簡寫成CMOS集成電路,此類電路包括基本CMOS系列(4000系列)、高速CMOS系列(即HCMOS集成電路,由高密度互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路)、先進CMOS系列(即AC/ACT集成電路)。
單極型集成電路由MOS場效應(yīng)晶體管組成,由于場效應(yīng)晶體管只有多數(shù)載流子參加導(dǎo)電,因此稱場效應(yīng)晶體管為單極晶體管,由該單極晶體管組成的集成電路稱為單極型集成電路,或稱為MOS集成電路。其采用金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOSFET)作為組件,特點是制作工藝簡單、集成度高、功耗較低、易于制成大規(guī)模集成電路,而雙極型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大。雙極型集成電路由NPN或PNP型晶體管組成,由于電路中載流子有電子和空穴兩種極性,因此稱為雙極型集成電路,或稱集成電路。其采用雙極型半導(dǎo)體器件作為組件,特點是速度快、負載能力強,但功耗較大、集成度較低。
單極型集成電路又分為PMOS集成電路、NMOS集成電路、CMOS集成電路。
PMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以P型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(P溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是空穴。
NMOS集成電路是在半導(dǎo)體硅片上,以N型溝道MOS器件構(gòu)成的集成電路(N溝道場效應(yīng)晶體管系列),參加導(dǎo)電的是電子。
CMOS集成電路是由NMOS晶體管和PMOS晶體管互補構(gòu)成的集成電路(互補場效應(yīng)晶體管系列),稱為互補型MOS集成電路,簡寫成CMOS集成電路,此類電路包括基本CMOS系列(4000系列)、高速CMOS系列(即HCMOS集成電路,由高密度互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件構(gòu)成的集成電路)、先進CMOS系列(即AC/ACT集成電路)。
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