測(cè)量大功率晶體三極管的飽和壓降
發(fā)布時(shí)間:2013/3/31 11:45:07 訪問(wèn)次數(shù):2837
①測(cè)量集電極與發(fā)射極之間MPC6041T-I/OT的飽和壓降UCES。將萬(wàn)用表置于直流10V電壓擋，然后按如圖3-53所示連接好電路（圖中，E為12V直流電源，Rl、R2分別為20fl/ SW、200n／0. 25W電阻）。測(cè)試條件，t．為600mA，，b為60mA。對(duì)于PNP型晶體三極管，將萬(wàn)用表按圖3-53(a)所示連接，即可測(cè)出UCES；對(duì)于NPN型晶體三極管，將萬(wàn)用表按圖3-53 (b)所示連接，即可測(cè)出UCES。
②測(cè)量基極與發(fā)射極之間的飽和壓降UBES。測(cè)試電路如圖3-53所示，對(duì)于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測(cè)試點(diǎn)，黑表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES；對(duì)于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點(diǎn)，紅表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES。
在測(cè)量UCES和UBES時(shí)，如果被測(cè)晶體三極管的^FE小于或等于10，無(wú)法達(dá)到飽和狀態(tài)，則不能用上述方法進(jìn)行測(cè)試。
在路檢測(cè)晶體三極管
在路不加電檢測(cè)。將萬(wàn)用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測(cè)出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測(cè)得發(fā)射結(jié)正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數(shù)百歐以上，則說(shuō)明該管發(fā)射結(jié)正常。
②測(cè)量基極與發(fā)射極之間的飽和壓降UBES。測(cè)試電路如圖3-53所示，對(duì)于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測(cè)試點(diǎn)，黑表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES；對(duì)于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點(diǎn)，紅表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES。
在測(cè)量UCES和UBES時(shí)，如果被測(cè)晶體三極管的^FE小于或等于10，無(wú)法達(dá)到飽和狀態(tài)，則不能用上述方法進(jìn)行測(cè)試。
在路檢測(cè)晶體三極管
在路不加電檢測(cè)。將萬(wàn)用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測(cè)出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測(cè)得發(fā)射結(jié)正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數(shù)百歐以上，則說(shuō)明該管發(fā)射結(jié)正常。
①測(cè)量集電極與發(fā)射極之間MPC6041T-I/OT的飽和壓降UCES。將萬(wàn)用表置于直流10V電壓擋，然后按如圖3-53所示連接好電路（圖中，E為12V直流電源，Rl、R2分別為20fl/ SW、200n／0. 25W電阻）。測(cè)試條件，t．為600mA，，b為60mA。對(duì)于PNP型晶體三極管，將萬(wàn)用表按圖3-53(a)所示連接，即可測(cè)出UCES；對(duì)于NPN型晶體三極管，將萬(wàn)用表按圖3-53 (b)所示連接，即可測(cè)出UCES。
②測(cè)量基極與發(fā)射極之間的飽和壓降UBES。測(cè)試電路如圖3-53所示，對(duì)于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測(cè)試點(diǎn)，黑表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES；對(duì)于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點(diǎn)，紅表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES。
在測(cè)量UCES和UBES時(shí)，如果被測(cè)晶體三極管的^FE小于或等于10，無(wú)法達(dá)到飽和狀態(tài)，則不能用上述方法進(jìn)行測(cè)試。
在路檢測(cè)晶體三極管
在路不加電檢測(cè)。將萬(wàn)用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測(cè)出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測(cè)得發(fā)射結(jié)正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數(shù)百歐以上，則說(shuō)明該管發(fā)射結(jié)正常。
②測(cè)量基極與發(fā)射極之間的飽和壓降UBES。測(cè)試電路如圖3-53所示，對(duì)于PNP型晶體三極管，紅表筆接C測(cè)試點(diǎn)，黑表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES；對(duì)于NPN型晶體三極管，黑表筆接C洌試點(diǎn)，紅表筆接B測(cè)試點(diǎn)，即可測(cè)出UBES。
在測(cè)量UCES和UBES時(shí)，如果被測(cè)晶體三極管的^FE小于或等于10，無(wú)法達(dá)到飽和狀態(tài)，則不能用上述方法進(jìn)行測(cè)試。
在路檢測(cè)晶體三極管
在路不加電檢測(cè)。將萬(wàn)用表置于RxlOfl或R×lfl,擋，測(cè)出晶體三極管各極的正、反向電阻值。以PNP型鍺管為例，若測(cè)得發(fā)射結(jié)正向電阻值在30fl左右、反向電阻值在數(shù)百歐以上，則說(shuō)明該管發(fā)射結(jié)正常。
上一篇：測(cè)量放大能力
上一篇：在路檢測(cè)晶體三極管
相關(guān)技術(shù)資料- 3-31測(cè)量大功率晶體三極管的飽和壓降
熱門點(diǎn)擊
- 測(cè)量大功率晶體三極管的飽和壓降
- 常用揚(yáng)聲器
- 汽車EPS轉(zhuǎn)向系統(tǒng)
- 筒式揚(yáng)聲器的外形
- 晶閘管的應(yīng)用
- 電容器的結(jié)構(gòu)是怎樣的
- 晶體三極管型號(hào)如何命名
- 儀器與測(cè)量
- 檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性
- 毛細(xì)管的檢測(cè)
推薦技術(shù)資料
- Seeed Studio
- Seeed Studio紿我們的印象總是和繪畫脫離不了... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無(wú)源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
