預(yù)置數(shù)控制電路
發(fā)布時(shí)間:2013/4/14 13:35:30 訪問(wèn)次數(shù):1713
預(yù)置數(shù)控制電路
預(yù)置數(shù)控制電路由兩個(gè)4位地STM811TW16F址開(kāi)關(guān)SI、S2和按鈕開(kāi)關(guān)SB等組成,用于設(shè)置移存器的初始狀態(tài),即彩燈的起始狀態(tài)。
每個(gè)地址開(kāi)關(guān)中包含4只開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)閉合時(shí)為“1”,開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)為“0”,可根據(jù)要求設(shè)置。
移存器的兩個(gè)狀態(tài)控制端STi、ST2分別由或門(mén)Di、D2控制。當(dāng)按下預(yù)置數(shù)按鈕開(kāi)關(guān)SB時(shí),“1”電平(+6V)加至D1、D2輸入端,Di、D2輸出均為“1”,使STi、ST2一“11”,設(shè)置好的預(yù)置數(shù)并行進(jìn)入移存器,如圖4-48所示。
Qi Q2 Q3 Q4 Qs Q6 Q7 Q8
圖4-48 移存器置數(shù)
例如,設(shè)置Pl~P8為“11100110“,按下SB時(shí),Qi~Q8
伸成為“11100110”,Hi. Hz. H3. H6. H7亮, H4. Hs.H8滅。當(dāng)松開(kāi)SB時(shí),STi、ST2≠“11”,移存器便在CP作用
下使預(yù)置狀態(tài)移動(dòng)。
預(yù)置數(shù)控制電路
預(yù)置數(shù)控制電路由兩個(gè)4位地STM811TW16F址開(kāi)關(guān)SI、S2和按鈕開(kāi)關(guān)SB等組成,用于設(shè)置移存器的初始狀態(tài),即彩燈的起始狀態(tài)。
每個(gè)地址開(kāi)關(guān)中包含4只開(kāi)關(guān),開(kāi)關(guān)閉合時(shí)為“1”,開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)為“0”,可根據(jù)要求設(shè)置。
移存器的兩個(gè)狀態(tài)控制端STi、ST2分別由或門(mén)Di、D2控制。當(dāng)按下預(yù)置數(shù)按鈕開(kāi)關(guān)SB時(shí),“1”電平(+6V)加至D1、D2輸入端,Di、D2輸出均為“1”,使STi、ST2一“11”,設(shè)置好的預(yù)置數(shù)并行進(jìn)入移存器,如圖4-48所示。
Qi Q2 Q3 Q4 Qs Q6 Q7 Q8
圖4-48 移存器置數(shù)
例如,設(shè)置Pl~P8為“11100110“,按下SB時(shí),Qi~Q8
伸成為“11100110”,Hi. Hz. H3. H6. H7亮, H4. Hs.H8滅。當(dāng)松開(kāi)SB時(shí),STi、ST2≠“11”,移存器便在CP作用
下使預(yù)置狀態(tài)移動(dòng)。
上一篇:移動(dòng)方向控制電路
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 電壓力鍋限溫器的檢測(cè)
- MOS管效應(yīng)管使用注意事項(xiàng)
- 接插件的特點(diǎn)與工作原理
- 揚(yáng)聲器的檢測(cè)
- 電路圖的構(gòu)成要素
- 預(yù)置數(shù)控制電路
- 獨(dú)石電容器
- 壓電蜂鳴片、蜂鳴器的介紹
- 雙基極晶體二極管的檢測(cè)
- 555時(shí)基集成電路如何檢測(cè)
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- 新品4MP圖像傳感器̴
- 高性能SoC智能傳感芯片技術(shù)設(shè)
- 分立器件&無(wú)源元件選型參數(shù)技術(shù)
- SRAM存算一體芯片發(fā)展趨勢(shì)及市場(chǎng)應(yīng)用
- 大功率雙向 48 V-12 V DC/D C
- 單速率(Single Rate
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究