對(duì)觸發(fā)電路的要求
發(fā)布時(shí)間:2013/5/25 14:54:11 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2251
為了保證晶閘管E2E-X5E1-Z電路能正常、可靠地工作,觸發(fā)電路必須滿(mǎn)足以下要求。
(1)觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的功率,觸發(fā)脈沖的電壓和電流應(yīng)大于晶閘管產(chǎn)品目錄提供的數(shù)據(jù),并留有一定的裕量。晶閘管的門(mén)極伏安特性曲線(xiàn)如圖6-52所示。由于同一型號(hào)晶閘管的門(mén)極伏安特性分散性比較大,所以規(guī)定晶閘管的門(mén)極阻值在某高阻(曲線(xiàn)OD)和低阻(曲線(xiàn)OG)之間才算是合格的產(chǎn)品。晶閘管器件出廠(chǎng)時(shí),所標(biāo)注的門(mén)極觸發(fā)電流如、門(mén)極觸發(fā)電壓UG是指該型號(hào)所有合格器件都能被觸發(fā)導(dǎo)通的最小門(mén)極電流、電壓值,所以在接近坐標(biāo)原點(diǎn)處昆和UG為界劃出OABCO區(qū)域,在此區(qū)域內(nèi)為不可靠觸№發(fā)區(qū)。在器件門(mén)極極限電流,M、門(mén)極極限電壓UG,M和門(mén)極極限功率曲線(xiàn)的包圍下,面積ABCDEFG(圖中陰影圖6-52晶閘管的門(mén)極伏安特性曲線(xiàn) 部貧)為可靠觸發(fā)區(qū),所有合格晶閘管器件的觸發(fā)電壓與觸發(fā)電流都應(yīng)在這個(gè)區(qū)域內(nèi),在使用時(shí),觸發(fā)電路提供的門(mén)極觸發(fā)電壓與觸發(fā)電流都應(yīng)處于這個(gè)區(qū)域內(nèi)。
再者,溫度對(duì)晶閘管門(mén)極的影響也比較大,即使是同一器件,溫度不同時(shí),器件的觸發(fā)電流與電壓值也不同。一般可以這樣估算,在100℃高溫時(shí),觸發(fā)電流、電壓值比室溫時(shí)低2~3倍,而在-40℃低溫時(shí),觸發(fā)電流、電壓值比室溫時(shí)高2~3倍。所以為了使晶閘管可靠地觸發(fā),觸發(fā)電路送出的觸發(fā)電流、電壓值都必須大于晶閘管器件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電流尼、觸發(fā)電壓UG值,并且要留有足夠的余量。如觸發(fā)信號(hào)為脈沖時(shí),在觸發(fā)功率不超過(guò)規(guī)定值的情況下,觸發(fā)電壓、電流的幅值在短時(shí)間內(nèi)可大大超過(guò)額定值。
(2)觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度且脈沖前沿應(yīng)盡可能陡。由于晶閘管觸發(fā)有一個(gè)過(guò)程,也就是晶閘管的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間,只有當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到晶閘管的擎住電流屯以上時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通,所以觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠導(dǎo)通,對(duì)于感性負(fù)載,脈沖的寬度要寬些,一般為0.5~lms,相當(dāng)于50Hz、180電角度。為了可靠、快速地觸發(fā)大功率晶閘管,常常在觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個(gè)疆觸發(fā)脈沖,其波形如圖6-53所示。圖中為脈沖前沿的上升時(shí)間為強(qiáng)脈沖的寬度;為強(qiáng)脈沖的幅值tl -t4為脈沖的寬度,為脈沖平均幅值。
(3)觸發(fā)脈沖的相位應(yīng)能在規(guī)定范圍內(nèi)移動(dòng)。例如單相全控橋整流電路阻性負(fù)載時(shí),要求觸發(fā)脈沖的移相范圍是00~1800,感負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~900;三相半波可控整流電路阻性負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~1500,感負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~900。
(4)觸發(fā)脈沖與晶閘管主電路電源必須同步。為了使晶閘管在每個(gè)周期都能夠以相同的控制角a被觸發(fā)導(dǎo)通,觸發(fā)脈沖必須與電源同步,兩者的頻率應(yīng)相同,而且要有固定的相位關(guān)系,以使每一周期都能在同樣的相位上觸發(fā)。其觸發(fā)移相結(jié)構(gòu)圖如圖6-54所示,觸發(fā)電路同時(shí)受控于控制電壓。與同步環(huán)節(jié)電壓的控制。
為了保證晶閘管E2E-X5E1-Z電路能正常、可靠地工作,觸發(fā)電路必須滿(mǎn)足以下要求。
(1)觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的功率,觸發(fā)脈沖的電壓和電流應(yīng)大于晶閘管產(chǎn)品目錄提供的數(shù)據(jù),并留有一定的裕量。晶閘管的門(mén)極伏安特性曲線(xiàn)如圖6-52所示。由于同一型號(hào)晶閘管的門(mén)極伏安特性分散性比較大,所以規(guī)定晶閘管的門(mén)極阻值在某高阻(曲線(xiàn)OD)和低阻(曲線(xiàn)OG)之間才算是合格的產(chǎn)品。晶閘管器件出廠(chǎng)時(shí),所標(biāo)注的門(mén)極觸發(fā)電流如、門(mén)極觸發(fā)電壓UG是指該型號(hào)所有合格器件都能被觸發(fā)導(dǎo)通的最小門(mén)極電流、電壓值,所以在接近坐標(biāo)原點(diǎn)處昆和UG為界劃出OABCO區(qū)域,在此區(qū)域內(nèi)為不可靠觸№發(fā)區(qū)。在器件門(mén)極極限電流,M、門(mén)極極限電壓UG,M和門(mén)極極限功率曲線(xiàn)的包圍下,面積ABCDEFG(圖中陰影圖6-52晶閘管的門(mén)極伏安特性曲線(xiàn) 部貧)為可靠觸發(fā)區(qū),所有合格晶閘管器件的觸發(fā)電壓與觸發(fā)電流都應(yīng)在這個(gè)區(qū)域內(nèi),在使用時(shí),觸發(fā)電路提供的門(mén)極觸發(fā)電壓與觸發(fā)電流都應(yīng)處于這個(gè)區(qū)域內(nèi)。
再者,溫度對(duì)晶閘管門(mén)極的影響也比較大,即使是同一器件,溫度不同時(shí),器件的觸發(fā)電流與電壓值也不同。一般可以這樣估算,在100℃高溫時(shí),觸發(fā)電流、電壓值比室溫時(shí)低2~3倍,而在-40℃低溫時(shí),觸發(fā)電流、電壓值比室溫時(shí)高2~3倍。所以為了使晶閘管可靠地觸發(fā),觸發(fā)電路送出的觸發(fā)電流、電壓值都必須大于晶閘管器件門(mén)極規(guī)定的觸發(fā)電流尼、觸發(fā)電壓UG值,并且要留有足夠的余量。如觸發(fā)信號(hào)為脈沖時(shí),在觸發(fā)功率不超過(guò)規(guī)定值的情況下,觸發(fā)電壓、電流的幅值在短時(shí)間內(nèi)可大大超過(guò)額定值。
(2)觸發(fā)脈沖應(yīng)有一定的寬度且脈沖前沿應(yīng)盡可能陡。由于晶閘管觸發(fā)有一個(gè)過(guò)程,也就是晶閘管的導(dǎo)通需要一定的時(shí)間,只有當(dāng)晶閘管的陽(yáng)極電流即主回路電流上升到晶閘管的擎住電流屯以上時(shí),晶閘管才能導(dǎo)通,所以觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠的寬度才能保證被觸發(fā)的晶閘管可靠導(dǎo)通,對(duì)于感性負(fù)載,脈沖的寬度要寬些,一般為0.5~lms,相當(dāng)于50Hz、180電角度。為了可靠、快速地觸發(fā)大功率晶閘管,常常在觸發(fā)脈沖的前沿疊加上一個(gè)疆觸發(fā)脈沖,其波形如圖6-53所示。圖中為脈沖前沿的上升時(shí)間為強(qiáng)脈沖的寬度;為強(qiáng)脈沖的幅值tl -t4為脈沖的寬度,為脈沖平均幅值。
(3)觸發(fā)脈沖的相位應(yīng)能在規(guī)定范圍內(nèi)移動(dòng)。例如單相全控橋整流電路阻性負(fù)載時(shí),要求觸發(fā)脈沖的移相范圍是00~1800,感負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~900;三相半波可控整流電路阻性負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~1500,感負(fù)載時(shí),要求移相范圍是00~900。
(4)觸發(fā)脈沖與晶閘管主電路電源必須同步。為了使晶閘管在每個(gè)周期都能夠以相同的控制角a被觸發(fā)導(dǎo)通,觸發(fā)脈沖必須與電源同步,兩者的頻率應(yīng)相同,而且要有固定的相位關(guān)系,以使每一周期都能在同樣的相位上觸發(fā)。其觸發(fā)移相結(jié)構(gòu)圖如圖6-54所示,觸發(fā)電路同時(shí)受控于控制電壓。與同步環(huán)節(jié)電壓的控制。
上一篇:晶閘管觸發(fā)電路
上一篇:觸發(fā)電路的種類(lèi)
熱門(mén)點(diǎn)擊
- 三端可調(diào)集成穩(wěn)壓器
- 7414反相施密特觸發(fā)器集成電路引腳排列
- 功率MOSFET的特性
- 對(duì)觸發(fā)電路的要求
- 強(qiáng)觸發(fā)環(huán)節(jié)
- 降壓電路
- 聚丙烯電容器
- 輸出特性
- 彈簧走線(xiàn)實(shí)例
- 家用電器用電控制器
推薦技術(shù)資料
- 聲道前級(jí)設(shè)計(jì)特點(diǎn)
- 與通常的Hi-Fi前級(jí)不同,EP9307-CRZ這臺(tái)分... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車(chē)半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究