光控晶閘管(LTT，Light Triggered Thyristor)叉稱E6B2-CWZ6C 100P/R光觸發(fā)晶閘管，它是一種以光信號代替電信號來進行觸發(fā)導(dǎo)通的特殊觸發(fā)型晶閘管，其伏安特性曲線與普通晶閘管完全一樣，只是觸發(fā)方式不同。而由于它采用光信號觸發(fā)，避免了主回路對控制回路的干擾，適用于要求信號源與主回路高度絕緣的大功率高壓裝置，如高壓直流輸電裝置、高壓核聚變裝置等。
    光觸發(fā)原理如圖6-87所示，一個處在正向偏置下的光控晶閘管，j2結(jié)為反向偏置。當具有一定波長的光通過光照窗口射入其有效面積上時，其中的一部分光子被半導(dǎo)體表面反射回去，大部分光子進入PNPN結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，并通過光激發(fā)產(chǎn)生電子．空穴對，這里假設(shè)它們的能量是大于禁帶寬度的。于是，在集電結(jié)j2勢壘區(qū)中產(chǎn)生的電子．空穴對瞬間(<10_9s)被電場分開，空穴被輸送到P基區(qū)，而電子被輸送到N基區(qū)，于是，兩個基區(qū)都分別得到了多數(shù)載流子電流。所以，在光路接通瞬間，在兩個基區(qū)中都好像由內(nèi)部提供了基極電流，促使晶閘管導(dǎo)通。

           
    實驗發(fā)現(xiàn)，光生電流的大小與光的波長有關(guān)。對于硅半導(dǎo)體器件，波長R>1.44ym的光在T=300K時是不起作用的，因為它的光子沒有足夠的能量來激發(fā)產(chǎn)生電子．空穴對。而波長很短的光同樣也是無效昀，因為其穿透深度太小，產(chǎn)生的電子一空穴對在表面被復(fù)合掉了。因此，在O.lym≤A≤1.14ym范圍內(nèi)，光的靈敏度有最大值。
    光控晶閘管實際上是指一個光控系統(tǒng)，它包括光源、光的輸送和晶閘管，而它們之間存在矛盾，主要表現(xiàn)在觸發(fā)靈敏度與晶閘管動態(tài)特性d//dt、du/dt及延遲時間td之間。解決的途徑除了從晶閘管本身結(jié)構(gòu)設(shè)計考慮，使其既具有低的觸發(fā)功率又有高的動態(tài)特性外，還應(yīng)從光源及光的傳輸著手，提高光源的光功率，減少光傳輸損耗，即希望有更大的光功率輸入到晶閘管內(nèi)。
    作為光控晶閘管的光源，顯然應(yīng)當選用量子效率高的發(fā)光材料制作的光源，并要求光源的光功率易于輸出；要求光源發(fā)射的光接通時間盡可能地短（納秒級）；要求光源可連續(xù)輸出幾毫瓦以上的功率或50～lOOmW以上的脈沖功率。因此，從效率、高輻照率及傳輸特性來看，可以認為GaAs激光二極管是一種理想光源。
    光的傳輸一般采用光纜（又稱光導(dǎo)纖維），其特點是能量損失小，在1～1.7Wn波長范圍內(nèi)損失僅達ldB/km;頻帶寬；直徑細及重量輕，18芯的光纜可比標準同軸電纜輕100倍，可節(jié)約大量銅材、鋁材，且不受腐蝕及電波干擾等。
    顯然，光控晶閘管的主要特性是相當于晶閘管觸發(fā)電流坫的光觸發(fā)有效輻照，由于LTT是根據(jù)入射光的能量大小而工作的，故光觸發(fā)靈敏度不是以光的亮度來衡量，而是以能量的大小來規(guī)定的，通常采用最小觸發(fā)光功率Pn，j。來表示LTT的觸發(fā)靈敏度。此外，由于觸發(fā)靈敏度和LTT動態(tài)特性之間存在矛盾，所以，在給出最小光觸發(fā)功率的同時，還應(yīng)給出LTT的通態(tài)電流臨界上升率d//dt容量及斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt耐量。

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