簡單來說，IGBT相當(dāng)于EA2-9一個由EA2-9驅(qū)動的厚基區(qū)PNP晶體管。它的簡化等效電路如圖9-1 (b)所示，圖中氐為PNP晶體管基區(qū)內(nèi)的調(diào)制電阻。從該等效電路可以清楚地看出，IGBT是用晶體管和功率MOSFET組成的復(fù)合器件。因?yàn)閳D中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場效應(yīng)晶體管，所以這種結(jié)構(gòu)的IGBT稱為N溝道IGBT。類似地還有P溝道IGBT。IGBT是一種場控器件，它的開通和關(guān)斷由柵極和發(fā)射極間電壓UGE決定。當(dāng)柵射極電壓UG。為正且大于開啟電壓UG。(th)時，MOSFET內(nèi)形成溝道并為PNP晶體管提供基極電流進(jìn)而使IGBT導(dǎo)通。此時，從P+區(qū)注入N的空穴（少數(shù)載流子）對N區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很低的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內(nèi)的溝道消失，則PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。由此可見，IGBT的驅(qū)動原理與MOSFET基本相同。
    IGBT的靜態(tài)特性包括轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。
     轉(zhuǎn)移特性。
    IGBT轉(zhuǎn)移特性是描述榘電極電流k與柵射電壓UG。之間的相互關(guān)系，如圖9-2 (a)所示。此特性與功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相似。由圖9-2 (a)可知，丘與UGE基本呈線性關(guān)系，只有當(dāng)UG。在UG。㈤附近時才呈非線性關(guān)系。當(dāng)柵射電壓UGE小于UG。(m)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)；當(dāng)UG。大于UG。(th)時，IGBT開始導(dǎo)通。由此可知，GE(th)是IGBT能實(shí)現(xiàn)電導(dǎo)調(diào)制而導(dǎo)通的最低柵射電壓。UG隨溫度升高略有下降，溫度每升高l℃，其值下降5mV左右。在25℃時，IGBT的開啟電壓UGE(th) -般為2～6V。
     圖9-2 IGBT的靜態(tài)特性曲線