注入到基區(qū)的少數(shù)載流G5NB-1A-E DC5子的量，由基極一發(fā)射極間電壓V BE決定，由于注入量決定了集電極電流的大小，所以集電極電流J。與基極電流IB具有確定的倍數(shù)的關(guān)系。令這個確定的倍數(shù)為p，那么集電極電流就可以寫為
    Ic=piB    (2.8)
    式(2.8)中的口也記作h，。（直流電流放大倍數(shù)），其值通常是50～500。但是，由于在晶體管的制造過程中存在較大的分散性，所以在設(shè)計上通常不以盧的值為設(shè)計依據(jù)。
    在PSpice中，盧由器件參數(shù)BF決定，模擬時使用的晶體管模型QNDEF中，沒有被特別的指定，所以使用規(guī)定值BF=100。在圖2.3中，集電極電流厶、正好是基極電流IB的100倍，也就是這個理由。
    發(fā)射極電流與集電極電流相等
    也不要忘記發(fā)射極電流。根據(jù)基爾霍夫定律，流入節(jié)點的電流的總和為零。考慮到發(fā)射極電流的方向是從發(fā)射極流出的方向，所以有
    晶體管的工作狀態(tài)
    把以上得到的結(jié)果歸納起來，就可以得到如圖2.7示出的晶體管工作時的電壓與電流的動作狀態(tài)：
    (1)基極一發(fā)射極間電壓大約是0.7V。
    (2)集電極電壓比發(fā)射極電壓高0.2V以上，至于高多少，由外部的電路決定（集電極電壓是隨意的）。
    (3)集電極電流≈發(fā)射極電流。
    (4)口為100時，基極電流是集電極電流的1/100。