真空度與電離噪聲
發(fā)布時(shí)間:2013/7/16 20:24:32 訪問次數(shù):950
電子管內(nèi)的真空度很重要。因?yàn)楣軆?nèi)那些起初沒有帶電的氣體分子，可能會(huì)被飛向陽(yáng)極的高速電子所撞擊，被驅(qū)逐出電子后變成正的氣體離子。AZ1117T-1.8這些帶正電荷的離子被陽(yáng)極排斥，同時(shí)又被陰極／柵極構(gòu)造吸引，于是在這些離子到達(dá)之后，就會(huì)有同樣數(shù)量的電子從外部通路流到地線，立即對(duì)這些離子作放電。這些離子的形成，以及陰極／柵極構(gòu)造隨之而進(jìn)行的放電，均是隨機(jī)的，因此，這個(gè)過程導(dǎo)致了隨機(jī)噪聲電流的出現(xiàn)，從而形成了電離噪聲(ionization noise)。
只有電離噪聲電流流經(jīng)外接電阻，比如柵漏電阻，才會(huì)帶來(lái)問題。在這個(gè)外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會(huì)被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個(gè)噪聲電壓。
為了獲得優(yōu)良的噪聲性能，低噪聲輸入級(jí)使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級(jí)電路決定，這樣，輸入級(jí)之后的電路有沒有使用高p管，也不會(huì)帶來(lái)明顯影響。但高“管的柵極絲排布細(xì)密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會(huì)形成明顯的噪聲電壓，并會(huì)被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時(shí)，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯(lián)退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進(jìn)一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻(xiàn)的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級(jí)，，這是相當(dāng)小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產(chǎn)生更多的呈l/f規(guī)律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級(jí)電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對(duì)象更偏向于陰極。低,u管工作時(shí)，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風(fēng)的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項(xiàng)因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設(shè)退耦電容。
真空度好時(shí)，可以當(dāng)作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時(shí)稱電子管已經(jīng)“變軟了(gone sofi)”。在制造的時(shí)候，電子管內(nèi)的空氣被抽走，怛仍會(huì)留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來(lái)除掉。
只有電離噪聲電流流經(jīng)外接電阻，比如柵漏電阻，才會(huì)帶來(lái)問題。在這個(gè)外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會(huì)被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個(gè)噪聲電壓。
為了獲得優(yōu)良的噪聲性能，低噪聲輸入級(jí)使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級(jí)電路決定，這樣，輸入級(jí)之后的電路有沒有使用高p管，也不會(huì)帶來(lái)明顯影響。但高“管的柵極絲排布細(xì)密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會(huì)形成明顯的噪聲電壓，并會(huì)被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時(shí)，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯(lián)退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進(jìn)一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻(xiàn)的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級(jí)，，這是相當(dāng)小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產(chǎn)生更多的呈l/f規(guī)律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級(jí)電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對(duì)象更偏向于陰極。低,u管工作時(shí)，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風(fēng)的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項(xiàng)因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設(shè)退耦電容。
真空度好時(shí)，可以當(dāng)作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時(shí)稱電子管已經(jīng)“變軟了(gone sofi)”。在制造的時(shí)候，電子管內(nèi)的空氣被抽走，怛仍會(huì)留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來(lái)除掉。
電子管內(nèi)的真空度很重要。因?yàn)楣軆?nèi)那些起初沒有帶電的氣體分子，可能會(huì)被飛向陽(yáng)極的高速電子所撞擊，被驅(qū)逐出電子后變成正的氣體離子。AZ1117T-1.8這些帶正電荷的離子被陽(yáng)極排斥，同時(shí)又被陰極／柵極構(gòu)造吸引，于是在這些離子到達(dá)之后，就會(huì)有同樣數(shù)量的電子從外部通路流到地線，立即對(duì)這些離子作放電。這些離子的形成，以及陰極／柵極構(gòu)造隨之而進(jìn)行的放電，均是隨機(jī)的，因此，這個(gè)過程導(dǎo)致了隨機(jī)噪聲電流的出現(xiàn)，從而形成了電離噪聲(ionization noise)。
只有電離噪聲電流流經(jīng)外接電阻，比如柵漏電阻，才會(huì)帶來(lái)問題。在這個(gè)外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會(huì)被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個(gè)噪聲電壓。
為了獲得優(yōu)良的噪聲性能，低噪聲輸入級(jí)使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級(jí)電路決定，這樣，輸入級(jí)之后的電路有沒有使用高p管，也不會(huì)帶來(lái)明顯影響。但高“管的柵極絲排布細(xì)密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會(huì)形成明顯的噪聲電壓，并會(huì)被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時(shí)，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯(lián)退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進(jìn)一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻(xiàn)的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級(jí)，，這是相當(dāng)小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產(chǎn)生更多的呈l/f規(guī)律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級(jí)電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對(duì)象更偏向于陰極。低,u管工作時(shí)，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風(fēng)的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項(xiàng)因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設(shè)退耦電容。
真空度好時(shí)，可以當(dāng)作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時(shí)稱電子管已經(jīng)“變軟了(gone sofi)”。在制造的時(shí)候，電子管內(nèi)的空氣被抽走，怛仍會(huì)留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來(lái)除掉。
只有電離噪聲電流流經(jīng)外接電阻，比如柵漏電阻，才會(huì)帶來(lái)問題。在這個(gè)外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會(huì)被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個(gè)噪聲電壓。
為了獲得優(yōu)良的噪聲性能，低噪聲輸入級(jí)使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級(jí)電路決定，這樣，輸入級(jí)之后的電路有沒有使用高p管，也不會(huì)帶來(lái)明顯影響。但高“管的柵極絲排布細(xì)密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會(huì)形成明顯的噪聲電壓，并會(huì)被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時(shí)，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯(lián)退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進(jìn)一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻(xiàn)的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級(jí)，，這是相當(dāng)小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產(chǎn)生更多的呈l/f規(guī)律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級(jí)電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對(duì)象更偏向于陰極。低,u管工作時(shí)，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風(fēng)的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項(xiàng)因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設(shè)退耦電容。
真空度好時(shí)，可以當(dāng)作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時(shí)稱電子管已經(jīng)“變軟了(gone sofi)”。在制造的時(shí)候，電子管內(nèi)的空氣被抽走，怛仍會(huì)留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來(lái)除掉。
上一篇：Mullard的四極管QV08-100的石墨厚板陽(yáng)極
上一篇：消氣裝置
相關(guān)技術(shù)資料- 7-17采用220nF+220nF改進(jìn)型抑止器時(shí)的波形
- 7-16真空度與電離噪聲
熱門點(diǎn)擊
- 小信號(hào)五極管EF86的運(yùn)用
- 整機(jī)調(diào)試檢測(cè)的工藝流程
- 共陰極放大電路用作恒流源
- SRPP（并聯(lián)調(diào)整推挽）放大電路
- 317型集成塊用于HT穩(wěn)壓電源
- 常用螺母的結(jié)構(gòu)
- 密勒電容
- 中U值電子管測(cè)試電路
- 電容降壓半波整流電路
- 開機(jī)時(shí)沖擊電流回路
推薦技術(shù)資料
- 自制經(jīng)典的1875功放
- 平時(shí)我也經(jīng)常逛一些音響DIY論壇，發(fā)現(xiàn)有很多人喜歡LM... [詳細(xì)]
- 第8代1800A/1200V
- 1200V CoolSiC嵌入
- PCB嵌入式功率芯片封裝應(yīng)用研究
- 反射傳感器簡(jiǎn)化光電開關(guān)設(shè)計(jì)
- 導(dǎo)電性高分子混合鋁電解電容器
- PCIe Gen4 SSD主控芯片
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
