電壓凈空
發(fā)布時間:2013/7/28 16:44:18 訪問次數(shù):2152
電池電源以及目前的工藝技術(shù)都意味著使用低電壓工作模式。當(dāng)前最流行的可再充電電池技術(shù)主要是鋰離子電池、鎳鎘電池及鎳金屬氫電池。完全放電后，NJM4556AM鋰離子電池電壓為2.7V，完全充電后則為4.2V。鎳鎘電池和鎳金屬氫電池的電壓范圍則為0. 9～1.7V。微燃料電池的電壓則更低，為0.4～0.7V。這些電池提供的電壓比較低，而且具變化而非恒定的特性，會影響電壓凈空和動態(tài)范圍，從而對穩(wěn)壓器提出了很高的要求。
低壓工作模式也是當(dāng)前工藝水平發(fā)展的結(jié)果。更高的器件密度促使我們提高光刻分辨率，制造出擊穿電壓更低的納米量級的半導(dǎo)體結(jié)。舉個例子，一個典型的0.18llm的CMOS工藝所能夠承受的電壓不能夠超過1.8V。另外，出于經(jīng)濟上的考慮，我們需要盡可能降低工藝的復(fù)雜性，也就是減少掩膜的數(shù)量，這同時也會減少器件的數(shù)量。通常標(biāo)準(zhǔn)CMOS以及標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS工藝（不增加額外類型器件）是需求最大的，但是這同時也減少了設(shè)計的靈活性。
低電壓環(huán)境會對模擬集成電路的設(shè)計構(gòu)成限制。很鄉(xiāng)的傳統(tǒng)設(shè)計方式在低電壓環(huán)境下不再可行，從而限制了設(shè)計的靈活性，有些時候也限制了系統(tǒng)性能。級聯(lián)式設(shè)備，如發(fā)射極和源極跟隨器、達林頓雙極晶體管，對提高增益、帶寬和驅(qū)動能力都有幫助，然而它們卻需要額外的電壓凈空，而電壓凈空在電池供電系統(tǒng)中是十分寶貴的資源。低電壓同時意味著更高的精度，驅(qū)動著電路性能向它的極限逼近。例如，一個1%精度為1.8V的穩(wěn)壓器在- 40～125℃的溫度范圍內(nèi)，在包括工藝偏差、噪聲、電壓偏差以及負載調(diào)整率和線性調(diào)整率情況之下的總偏差要低于18mV，其中，線性調(diào)整率和負載調(diào)整率有5～12mV的變化。外，在低電壓下，動態(tài)范圍會變差，這使得精度要達到高于1%的程度。從而集成電路更加昂貴，設(shè)計也更加復(fù)雜，同時也激勵著設(shè)計者要更能隨機應(yīng)變、更加具有創(chuàng)新性。
低壓工作模式也是當(dāng)前工藝水平發(fā)展的結(jié)果。更高的器件密度促使我們提高光刻分辨率，制造出擊穿電壓更低的納米量級的半導(dǎo)體結(jié)。舉個例子，一個典型的0.18llm的CMOS工藝所能夠承受的電壓不能夠超過1.8V。另外，出于經(jīng)濟上的考慮，我們需要盡可能降低工藝的復(fù)雜性，也就是減少掩膜的數(shù)量，這同時也會減少器件的數(shù)量。通常標(biāo)準(zhǔn)CMOS以及標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS工藝（不增加額外類型器件）是需求最大的，但是這同時也減少了設(shè)計的靈活性。
低電壓環(huán)境會對模擬集成電路的設(shè)計構(gòu)成限制。很鄉(xiāng)的傳統(tǒng)設(shè)計方式在低電壓環(huán)境下不再可行，從而限制了設(shè)計的靈活性，有些時候也限制了系統(tǒng)性能。級聯(lián)式設(shè)備，如發(fā)射極和源極跟隨器、達林頓雙極晶體管，對提高增益、帶寬和驅(qū)動能力都有幫助，然而它們卻需要額外的電壓凈空，而電壓凈空在電池供電系統(tǒng)中是十分寶貴的資源。低電壓同時意味著更高的精度，驅(qū)動著電路性能向它的極限逼近。例如，一個1%精度為1.8V的穩(wěn)壓器在- 40～125℃的溫度范圍內(nèi)，在包括工藝偏差、噪聲、電壓偏差以及負載調(diào)整率和線性調(diào)整率情況之下的總偏差要低于18mV，其中，線性調(diào)整率和負載調(diào)整率有5～12mV的變化。外，在低電壓下，動態(tài)范圍會變差，這使得精度要達到高于1%的程度。從而集成電路更加昂貴，設(shè)計也更加復(fù)雜，同時也激勵著設(shè)計者要更能隨機應(yīng)變、更加具有創(chuàng)新性。
電池電源以及目前的工藝技術(shù)都意味著使用低電壓工作模式。當(dāng)前最流行的可再充電電池技術(shù)主要是鋰離子電池、鎳鎘電池及鎳金屬氫電池。完全放電后，NJM4556AM鋰離子電池電壓為2.7V，完全充電后則為4.2V。鎳鎘電池和鎳金屬氫電池的電壓范圍則為0. 9～1.7V。微燃料電池的電壓則更低，為0.4～0.7V。這些電池提供的電壓比較低，而且具變化而非恒定的特性，會影響電壓凈空和動態(tài)范圍，從而對穩(wěn)壓器提出了很高的要求。
低壓工作模式也是當(dāng)前工藝水平發(fā)展的結(jié)果。更高的器件密度促使我們提高光刻分辨率，制造出擊穿電壓更低的納米量級的半導(dǎo)體結(jié)。舉個例子，一個典型的0.18llm的CMOS工藝所能夠承受的電壓不能夠超過1.8V。另外，出于經(jīng)濟上的考慮，我們需要盡可能降低工藝的復(fù)雜性，也就是減少掩膜的數(shù)量，這同時也會減少器件的數(shù)量。通常標(biāo)準(zhǔn)CMOS以及標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS工藝（不增加額外類型器件）是需求最大的，但是這同時也減少了設(shè)計的靈活性。
低電壓環(huán)境會對模擬集成電路的設(shè)計構(gòu)成限制。很鄉(xiāng)的傳統(tǒng)設(shè)計方式在低電壓環(huán)境下不再可行，從而限制了設(shè)計的靈活性，有些時候也限制了系統(tǒng)性能。級聯(lián)式設(shè)備，如發(fā)射極和源極跟隨器、達林頓雙極晶體管，對提高增益、帶寬和驅(qū)動能力都有幫助，然而它們卻需要額外的電壓凈空，而電壓凈空在電池供電系統(tǒng)中是十分寶貴的資源。低電壓同時意味著更高的精度，驅(qū)動著電路性能向它的極限逼近。例如，一個1%精度為1.8V的穩(wěn)壓器在- 40～125℃的溫度范圍內(nèi)，在包括工藝偏差、噪聲、電壓偏差以及負載調(diào)整率和線性調(diào)整率情況之下的總偏差要低于18mV，其中，線性調(diào)整率和負載調(diào)整率有5～12mV的變化。外，在低電壓下，動態(tài)范圍會變差，這使得精度要達到高于1%的程度。從而集成電路更加昂貴，設(shè)計也更加復(fù)雜，同時也激勵著設(shè)計者要更能隨機應(yīng)變、更加具有創(chuàng)新性。
低壓工作模式也是當(dāng)前工藝水平發(fā)展的結(jié)果。更高的器件密度促使我們提高光刻分辨率，制造出擊穿電壓更低的納米量級的半導(dǎo)體結(jié)。舉個例子，一個典型的0.18llm的CMOS工藝所能夠承受的電壓不能夠超過1.8V。另外，出于經(jīng)濟上的考慮，我們需要盡可能降低工藝的復(fù)雜性，也就是減少掩膜的數(shù)量，這同時也會減少器件的數(shù)量。通常標(biāo)準(zhǔn)CMOS以及標(biāo)準(zhǔn)BiCMOS工藝（不增加額外類型器件）是需求最大的，但是這同時也減少了設(shè)計的靈活性。
低電壓環(huán)境會對模擬集成電路的設(shè)計構(gòu)成限制。很鄉(xiāng)的傳統(tǒng)設(shè)計方式在低電壓環(huán)境下不再可行，從而限制了設(shè)計的靈活性，有些時候也限制了系統(tǒng)性能。級聯(lián)式設(shè)備，如發(fā)射極和源極跟隨器、達林頓雙極晶體管，對提高增益、帶寬和驅(qū)動能力都有幫助，然而它們卻需要額外的電壓凈空，而電壓凈空在電池供電系統(tǒng)中是十分寶貴的資源。低電壓同時意味著更高的精度，驅(qū)動著電路性能向它的極限逼近。例如，一個1%精度為1.8V的穩(wěn)壓器在- 40～125℃的溫度范圍內(nèi)，在包括工藝偏差、噪聲、電壓偏差以及負載調(diào)整率和線性調(diào)整率情況之下的總偏差要低于18mV，其中，線性調(diào)整率和負載調(diào)整率有5～12mV的變化。外，在低電壓下，動態(tài)范圍會變差，這使得精度要達到高于1%的程度。從而集成電路更加昂貴，設(shè)計也更加復(fù)雜，同時也激勵著設(shè)計者要更能隨機應(yīng)變、更加具有創(chuàng)新性。
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