晶體二極管的伏安特性是指加在晶體二極管兩端的電壓和流過(guò)晶體二極管的電流之間的關(guān)系曲線，ZMM4V3晶體二極管伏安特性通常用來(lái)描述晶體二極管的性能。圖2-28所示為晶體二極管的伏安特性曲線。
    圖2-28  晶體二極管的伏安特性曲線

          
    ●正向特性：在電子電路中，將晶體二極管的正極接在高電位端，負(fù)極接在低電位端，晶體二極管就會(huì)導(dǎo)通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說(shuō)明，當(dāng)加在晶體二極管兩端的正向電壓很小時(shí)，晶體二極管仍然不能導(dǎo)通，流過(guò)晶體二極管的正向電流十分微弱。只有肖正向電壓達(dá)到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門(mén)檻電壓”，鍺管為0.2~0. 3V，硅管為0.6~0.7V)以后，晶體二極管才能直接導(dǎo)通。導(dǎo)通后晶體二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0. 3V，硅管約為0.7V），稱為晶體二極管的“正向壓降”。
    ●反向特陛：在電子電路中，晶體二極管的正極接在低電位端，負(fù)極接在高電位端，此時(shí)晶體二極管中幾乎沒(méi)有電流流過(guò)，晶體二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，這種連接方式，稱為反向偏置。晶體二極管處于反向偏置時(shí)，仍然會(huì)有微弱的反向電流流過(guò)晶體二極管，稱為漏電流。反向電流（漏電流）有兩個(gè)顯著特點(diǎn)：一是受溫度影響很大；二是反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，其電流大小基本不變，即與反向電壓大小無(wú)關(guān)，因此反向電流又稱為反向飽和電流。
    ●擊穿特性：當(dāng)晶體二極管兩端的反向電壓增大到某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)急劇增大，晶體二極管將失去單方向?qū)щ娞匦�，這種狀態(tài)晶體二極管被擊穿。