電源電路中X電容的泄放電阻電路
發(fā)布時間:2013/8/10 21:35:15 訪問次數(shù):7828
如圖3-27所示是電源電路中X電容的泄放電阻電路,33012-2002電路中的Cl是X電容器,用來抑制高頻差模干擾成分,Rl則是泄放電阻,F(xiàn)l是熔斷器,Ll和L2是差模電感,用來抑制高頻差模干擾成分。
電路中,在電路斷電后,Cl中殘留的電荷通過電阻Rl放電,以保證拔掉電源插頭的1--2s后不帶電。
MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路北京昊天誠信科技有限公司
圖3-28所示是MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路,電路中的R2為泄放電阻,它接在MOS開關(guān)管VT3的柵極與源極之間。
圖3-27 電源電路中X電容的泄放電阻電路 圖3-28 MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路
電路中的MOS管VT3工作在開關(guān)狀態(tài)下,VT1和VT2輪流導通,使得MOS管VT3的柵極等效電容處于充電、放電的交替狀態(tài)如果電路斷電時正好是MOS管VT3柵極等效電容為充滿電狀態(tài),由于電路已斷電,這樣VT1和VT2截止,VT3柵極等效電容所充電荷沒有放電回路,使VT3柵極電場仍然能夠保持較長時間(因為MOS管的輸入阻抗相當大),如果這時再次開機通電,由于VT1和VT2正常的激勵信號還沒有建立起來,而MOS管VT3的漏極工作電壓卻迅速得到,這樣會使VT3產(chǎn)生巨太的不受控制的漏極電流,會燒壞MOS管VT3。
在MOS管VT3的柵極與源極之間接入一只泄放電阻R2之后,VT3柵極等效電容內(nèi)部存儲的電荷通過R2回路迅速放電,避免了上述現(xiàn)象的出現(xiàn),達到了防止燒壞MOS管VT3的目的。
泄放電阻R2通常取SkQ至幾十千歐,如果阻值太大將很難起到迅速泄放MOS管柵極等效電容中電荷的作用。
MOS管的這種泄放電阻電路只運用于開關(guān)電路中,當MOS管線性運用時不必設置這種泄放電阻電路。
如圖3-27所示是電源電路中X電容的泄放電阻電路,33012-2002電路中的Cl是X電容器,用來抑制高頻差模干擾成分,Rl則是泄放電阻,F(xiàn)l是熔斷器,Ll和L2是差模電感,用來抑制高頻差模干擾成分。
電路中,在電路斷電后,Cl中殘留的電荷通過電阻Rl放電,以保證拔掉電源插頭的1--2s后不帶電。
MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路北京昊天誠信科技有限公司
圖3-28所示是MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路,電路中的R2為泄放電阻,它接在MOS開關(guān)管VT3的柵極與源極之間。
圖3-27 電源電路中X電容的泄放電阻電路 圖3-28 MOS開關(guān)管柵極泄放電阻電路
電路中的MOS管VT3工作在開關(guān)狀態(tài)下,VT1和VT2輪流導通,使得MOS管VT3的柵極等效電容處于充電、放電的交替狀態(tài)如果電路斷電時正好是MOS管VT3柵極等效電容為充滿電狀態(tài),由于電路已斷電,這樣VT1和VT2截止,VT3柵極等效電容所充電荷沒有放電回路,使VT3柵極電場仍然能夠保持較長時間(因為MOS管的輸入阻抗相當大),如果這時再次開機通電,由于VT1和VT2正常的激勵信號還沒有建立起來,而MOS管VT3的漏極工作電壓卻迅速得到,這樣會使VT3產(chǎn)生巨太的不受控制的漏極電流,會燒壞MOS管VT3。
在MOS管VT3的柵極與源極之間接入一只泄放電阻R2之后,VT3柵極等效電容內(nèi)部存儲的電荷通過R2回路迅速放電,避免了上述現(xiàn)象的出現(xiàn),達到了防止燒壞MOS管VT3的目的。
泄放電阻R2通常取SkQ至幾十千歐,如果阻值太大將很難起到迅速泄放MOS管柵極等效電容中電荷的作用。
MOS管的這種泄放電阻電路只運用于開關(guān)電路中,當MOS管線性運用時不必設置這種泄放電阻電路。
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