RC低頻衰減電路和RC低頻提升電路分析
發(fā)布時(shí)間:2013/8/14 19:57:52 訪問(wèn)次數(shù):2004
1.RC低頻衰減電路分析
如圖5-72所示是采用RC串聯(lián)電路來(lái)衰減低頻信號(hào)的電路。74HC08D電路中,VT1構(gòu)成一級(jí)共發(fā)射極音頻放大器,電阻Rl和R2構(gòu)成VT1基極偏置電路,R3是VT1集電極電阻,R4是VT1發(fā)射極負(fù)反饋電阻,R5和C4的串聯(lián)電路并聯(lián)在負(fù)反饋電阻R4上,也是負(fù)反饋電路的一部分。
圖5-72 RC串聯(lián)低頻衰減電路
對(duì)于負(fù)反饋電阻R4而言,其阻值越大,負(fù)反饋量越大,放大器的放大倍數(shù)越小。對(duì)于交流信號(hào)負(fù)反饋而言,VT1的發(fā)射極負(fù)反饋電阻應(yīng)該是R5串聯(lián)C4再與R4并聯(lián)后的總阻抗,由于R4阻值不隨頻率變化而變化,所以主要是分析R5和C4串聯(lián)電路阻抗隨頻率變化時(shí)負(fù)反饋量的改變。
2.RC低頻提升電路分析
如圖5-73所示是采用RC串聯(lián)電路構(gòu)成的低頻提升電路。電路中的VT1和VT2構(gòu)成雙管音頻放大器,兩管均接成共發(fā)射極電路。R5和C4構(gòu)成電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。
對(duì)于電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路而言,負(fù)反饋電路的阻抗越大,負(fù)反饋量越小,放大器的放大倍數(shù)越大。這是分析這一低頻提升電路的基本思路,不掌握這一點(diǎn)就無(wú)法分析這一電路的工作原理。
如圖5-74所示是這- RC串聯(lián)電路的阻抗特性曲線,頻率低于800Hz時(shí)阻抗隨頻率降低而升高。如表5-18所示是低頻提升電路工作原理解說(shuō)。
1.RC低頻衰減電路分析
如圖5-72所示是采用RC串聯(lián)電路來(lái)衰減低頻信號(hào)的電路。74HC08D電路中,VT1構(gòu)成一級(jí)共發(fā)射極音頻放大器,電阻Rl和R2構(gòu)成VT1基極偏置電路,R3是VT1集電極電阻,R4是VT1發(fā)射極負(fù)反饋電阻,R5和C4的串聯(lián)電路并聯(lián)在負(fù)反饋電阻R4上,也是負(fù)反饋電路的一部分。
圖5-72 RC串聯(lián)低頻衰減電路
對(duì)于負(fù)反饋電阻R4而言,其阻值越大,負(fù)反饋量越大,放大器的放大倍數(shù)越小。對(duì)于交流信號(hào)負(fù)反饋而言,VT1的發(fā)射極負(fù)反饋電阻應(yīng)該是R5串聯(lián)C4再與R4并聯(lián)后的總阻抗,由于R4阻值不隨頻率變化而變化,所以主要是分析R5和C4串聯(lián)電路阻抗隨頻率變化時(shí)負(fù)反饋量的改變。
2.RC低頻提升電路分析
如圖5-73所示是采用RC串聯(lián)電路構(gòu)成的低頻提升電路。電路中的VT1和VT2構(gòu)成雙管音頻放大器,兩管均接成共發(fā)射極電路。R5和C4構(gòu)成電壓串聯(lián)負(fù)反饋電路。
對(duì)于電壓并聯(lián)負(fù)反饋電路而言,負(fù)反饋電路的阻抗越大,負(fù)反饋量越小,放大器的放大倍數(shù)越大。這是分析這一低頻提升電路的基本思路,不掌握這一點(diǎn)就無(wú)法分析這一電路的工作原理。
如圖5-74所示是這- RC串聯(lián)電路的阻抗特性曲線,頻率低于800Hz時(shí)阻抗隨頻率降低而升高。如表5-18所示是低頻提升電路工作原理解說(shuō)。
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