雙向I2C電平轉(zhuǎn)換電路
發(fā)布時(shí)間:2013/9/5 20:47:55 訪問次數(shù):6364
1.用 途
總線接口電路。
2.原 理
電路如圖4.27所示。74HCT245PW這個(gè)電路將使用不同電源電壓(5V和3.3V)的兩個(gè)系統(tǒng)的I2C總線通過該電路連接起來。
圖4. 27 雙向I2C電平轉(zhuǎn)換電路
每個(gè)總線的電平轉(zhuǎn)換電路相同,包含一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管和兩個(gè)上拉電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的柵極接低壓電源(3.3V),源極低壓端信號(hào)線,并通過上拉電阻接低壓電源,漏極接高壓端信號(hào)線,并
通過上拉電阻接高壓電源(5V)。漏極和源極之間的二極管在MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部。
將出現(xiàn)以下三種情況:
①總線未被使用,IC沒有使電平變低。源極和柵極均為3.3V,因而場(chǎng)效應(yīng)管截止。右側(cè)的I2 C總線不受影響,線路保持高電平,但這里的高電平為5V。
②左側(cè)IC使得總線變低。場(chǎng)效應(yīng)管的源極電平為ov,柵極為3.3V。場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,因而5V部分被場(chǎng)效應(yīng)管和有關(guān)的IC拉低。即左邊的低電平傳遞到右側(cè)部分。
③右側(cè)IC使得總線變低。左邊部分由于場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)的二極管拉低。這個(gè)低電平不是OV,是二極管的正向壓降。這個(gè)低電平足以使場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通。左邊部分通過右側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管和相應(yīng)的IC使總線變低,因而低電平被傳遞。
很明顯,所用的場(chǎng)效應(yīng)管必須具有雙向?qū)ㄌ匦。最重要的是?chǎng)效應(yīng)管在源極一柵極電壓低于2V時(shí)導(dǎo)通。而且,它的溝道電阻必須小于100Q,且能夠承受lOmA的電流,輸入電容小于lOOpF,開關(guān)時(shí)間應(yīng)在5ms以內(nèi)。適合使用的飛利浦場(chǎng)效應(yīng)管有BSN10、BSN20、BSS83和BSS88等。
1.用 途
總線接口電路。
2.原 理
電路如圖4.27所示。74HCT245PW這個(gè)電路將使用不同電源電壓(5V和3.3V)的兩個(gè)系統(tǒng)的I2C總線通過該電路連接起來。
圖4. 27 雙向I2C電平轉(zhuǎn)換電路
每個(gè)總線的電平轉(zhuǎn)換電路相同,包含一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管和兩個(gè)上拉電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的柵極接低壓電源(3.3V),源極低壓端信號(hào)線,并通過上拉電阻接低壓電源,漏極接高壓端信號(hào)線,并
通過上拉電阻接高壓電源(5V)。漏極和源極之間的二極管在MOS場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)部。
將出現(xiàn)以下三種情況:
①總線未被使用,IC沒有使電平變低。源極和柵極均為3.3V,因而場(chǎng)效應(yīng)管截止。右側(cè)的I2 C總線不受影響,線路保持高電平,但這里的高電平為5V。
②左側(cè)IC使得總線變低。場(chǎng)效應(yīng)管的源極電平為ov,柵極為3.3V。場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通,因而5V部分被場(chǎng)效應(yīng)管和有關(guān)的IC拉低。即左邊的低電平傳遞到右側(cè)部分。
③右側(cè)IC使得總線變低。左邊部分由于場(chǎng)效應(yīng)管內(nèi)的二極管拉低。這個(gè)低電平不是OV,是二極管的正向壓降。這個(gè)低電平足以使場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通。左邊部分通過右側(cè)的場(chǎng)效應(yīng)管和相應(yīng)的IC使總線變低,因而低電平被傳遞。
很明顯,所用的場(chǎng)效應(yīng)管必須具有雙向?qū)ㄌ匦。最重要的是?chǎng)效應(yīng)管在源極一柵極電壓低于2V時(shí)導(dǎo)通。而且,它的溝道電阻必須小于100Q,且能夠承受lOmA的電流,輸入電容小于lOOpF,開關(guān)時(shí)間應(yīng)在5ms以內(nèi)。適合使用的飛利浦場(chǎng)效應(yīng)管有BSN10、BSN20、BSS83和BSS88等。
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