靜電敏感器件的分級(jí)
發(fā)布時(shí)間:2013/9/9 20:45:38 訪問(wèn)次數(shù):4070
對(duì)靜電反應(yīng)敏感的器件稱(chēng)為靜電敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR靜電敏感器件主要是半導(dǎo)體器件、超大規(guī)模集成電路，特別是金屬化膜半導(dǎo)體（MOS集成電路電路），例如肖特基墊壘二極管、點(diǎn)接觸、二極管等微波器件、MOSFET器件、聲表面波(SAW)器件、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、電荷耦合器件(CCD)、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放大器(OPAMP)、薄膜電阻器、MOS集成電路、使用SSD元器件構(gòu)成的混合電路、超高速集成電路(UHSIC)及可控硅整流器等。靜電敏感器件的靜電承受能力與器件本身的尺寸、結(jié)構(gòu)以及所使用的材料有著密切的關(guān)系。
根據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級(jí)方法可將靜電敏感器件分為3級(jí)。靜電敏感度在0～1999 V的元器件為1級(jí)；靜電敏感度在2 000～3 999 V的元器件為2級(jí)；靜電敏感度在4000～15 999 V的元器件為3級(jí)；而靜電敏感度超過(guò)3級(jí)的元器件、組件和設(shè)備被認(rèn)為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級(jí)，可針對(duì)不同的SSD器件，采取不同的靜電防護(hù)措施。
根據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級(jí)方法可將靜電敏感器件分為3級(jí)。靜電敏感度在0～1999 V的元器件為1級(jí)；靜電敏感度在2 000～3 999 V的元器件為2級(jí)；靜電敏感度在4000～15 999 V的元器件為3級(jí)；而靜電敏感度超過(guò)3級(jí)的元器件、組件和設(shè)備被認(rèn)為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級(jí)，可針對(duì)不同的SSD器件，采取不同的靜電防護(hù)措施。
對(duì)靜電反應(yīng)敏感的器件稱(chēng)為靜電敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR靜電敏感器件主要是半導(dǎo)體器件、超大規(guī)模集成電路，特別是金屬化膜半導(dǎo)體（MOS集成電路電路），例如肖特基墊壘二極管、點(diǎn)接觸、二極管等微波器件、MOSFET器件、聲表面波(SAW)器件、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)、電荷耦合器件(CCD)、精密穩(wěn)壓二極管、運(yùn)算放大器(OPAMP)、薄膜電阻器、MOS集成電路、使用SSD元器件構(gòu)成的混合電路、超高速集成電路(UHSIC)及可控硅整流器等。靜電敏感器件的靜電承受能力與器件本身的尺寸、結(jié)構(gòu)以及所使用的材料有著密切的關(guān)系。
根據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級(jí)方法可將靜電敏感器件分為3級(jí)。靜電敏感度在0～1999 V的元器件為1級(jí)；靜電敏感度在2 000～3 999 V的元器件為2級(jí)；靜電敏感度在4000～15 999 V的元器件為3級(jí)；而靜電敏感度超過(guò)3級(jí)的元器件、組件和設(shè)備被認(rèn)為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級(jí)，可針對(duì)不同的SSD器件，采取不同的靜電防護(hù)措施。
根據(jù)國(guó)家軍用標(biāo)準(zhǔn)《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級(jí)方法可將靜電敏感器件分為3級(jí)。靜電敏感度在0～1999 V的元器件為1級(jí)；靜電敏感度在2 000～3 999 V的元器件為2級(jí)；靜電敏感度在4000～15 999 V的元器件為3級(jí)；而靜電敏感度超過(guò)3級(jí)的元器件、組件和設(shè)備被認(rèn)為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級(jí)，可針對(duì)不同的SSD器件，采取不同的靜電防護(hù)措施。
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