單向晶閘管的檢測
發(fā)布時間:2013/9/11 20:20:26 訪問次數(shù):838
(1)電極判斷
在單向晶閘管的芯片內(nèi)部，TLP280-4GB控制極G和陰極K之間是一個PN結，PN結具有單向導電特性，其正反向電阻值相差很大�？刂茦OG和陽極A之間有兩個反向串聯(lián)的PN結，無論A、G兩個電極的電位哪個高，兩極間總是呈高阻值。
將萬用表置在R×100 Q擋上，分別測量可控硅任意兩引出腳間的電阻值。對3個引腳端，調(diào)換兩表筆，共進行6次測量，其中5次萬用表的讀數(shù)應為無窮大，一次讀數(shù)為幾十歐姆。讀數(shù)為幾十歐姆的那次，黑表筆接的引腳端是控制極G，紅表筆接的引腳端是陰極K，剩下的1個引腳端為陽極A。若在測量中不符合以上規(guī)律，則說明晶閘管損壞或性能不良。
(2)導通特性的測試
1) 10 A以下晶閘管導通特性的測試
將萬用表置R×1 Q擋，黑表筆接陽極A引腳端，紅表筆接陰極K引腳端，此時萬用表指針不偏轉。將控制極G引腳端和陽極A引腳端瞬間短接，萬用表的讀數(shù)隨即降到幾十歐姆，說明可控硅能被觸發(fā)并維持導通，導通的基本性能好，否則不能使用。
2) 10—100 A晶閘管導通特性的測試
對于10～100 A大功率晶閘管，因其通態(tài)壓降較大，并且R×1 Q擋提供的電流低于維持電流，故晶閘管不能完全導通。
測量時可采用雙表法，即把兩塊萬用表的R×1 Q擋串聯(lián)起來使用（將第一塊萬用表的黑表筆與第二塊萬用表的紅表筆連接），獲得3V的電源電壓。也可在萬用表R×1 Q擋的外部串聯(lián)1到2節(jié)1.5 V電池，將電源電壓提升到3～4.2 V。采用上述方法，便可檢查10～100 A的大功率晶閘管的導通特性。
在單向晶閘管的芯片內(nèi)部，TLP280-4GB控制極G和陰極K之間是一個PN結，PN結具有單向導電特性，其正反向電阻值相差很大�？刂茦OG和陽極A之間有兩個反向串聯(lián)的PN結，無論A、G兩個電極的電位哪個高，兩極間總是呈高阻值。
將萬用表置在R×100 Q擋上，分別測量可控硅任意兩引出腳間的電阻值。對3個引腳端，調(diào)換兩表筆，共進行6次測量，其中5次萬用表的讀數(shù)應為無窮大，一次讀數(shù)為幾十歐姆。讀數(shù)為幾十歐姆的那次，黑表筆接的引腳端是控制極G，紅表筆接的引腳端是陰極K，剩下的1個引腳端為陽極A。若在測量中不符合以上規(guī)律，則說明晶閘管損壞或性能不良。
(2)導通特性的測試
1) 10 A以下晶閘管導通特性的測試
將萬用表置R×1 Q擋，黑表筆接陽極A引腳端，紅表筆接陰極K引腳端，此時萬用表指針不偏轉。將控制極G引腳端和陽極A引腳端瞬間短接，萬用表的讀數(shù)隨即降到幾十歐姆，說明可控硅能被觸發(fā)并維持導通，導通的基本性能好，否則不能使用。
2) 10—100 A晶閘管導通特性的測試
對于10～100 A大功率晶閘管，因其通態(tài)壓降較大，并且R×1 Q擋提供的電流低于維持電流，故晶閘管不能完全導通。
測量時可采用雙表法，即把兩塊萬用表的R×1 Q擋串聯(lián)起來使用（將第一塊萬用表的黑表筆與第二塊萬用表的紅表筆連接），獲得3V的電源電壓。也可在萬用表R×1 Q擋的外部串聯(lián)1到2節(jié)1.5 V電池，將電源電壓提升到3～4.2 V。采用上述方法，便可檢查10～100 A的大功率晶閘管的導通特性。
(1)電極判斷
在單向晶閘管的芯片內(nèi)部，TLP280-4GB控制極G和陰極K之間是一個PN結，PN結具有單向導電特性，其正反向電阻值相差很大�？刂茦OG和陽極A之間有兩個反向串聯(lián)的PN結，無論A、G兩個電極的電位哪個高，兩極間總是呈高阻值。
將萬用表置在R×100 Q擋上，分別測量可控硅任意兩引出腳間的電阻值。對3個引腳端，調(diào)換兩表筆，共進行6次測量，其中5次萬用表的讀數(shù)應為無窮大，一次讀數(shù)為幾十歐姆。讀數(shù)為幾十歐姆的那次，黑表筆接的引腳端是控制極G，紅表筆接的引腳端是陰極K，剩下的1個引腳端為陽極A。若在測量中不符合以上規(guī)律，則說明晶閘管損壞或性能不良。
(2)導通特性的測試
1) 10 A以下晶閘管導通特性的測試
將萬用表置R×1 Q擋，黑表筆接陽極A引腳端，紅表筆接陰極K引腳端，此時萬用表指針不偏轉。將控制極G引腳端和陽極A引腳端瞬間短接，萬用表的讀數(shù)隨即降到幾十歐姆，說明可控硅能被觸發(fā)并維持導通，導通的基本性能好，否則不能使用。
2) 10—100 A晶閘管導通特性的測試
對于10～100 A大功率晶閘管，因其通態(tài)壓降較大，并且R×1 Q擋提供的電流低于維持電流，故晶閘管不能完全導通。
測量時可采用雙表法，即把兩塊萬用表的R×1 Q擋串聯(lián)起來使用（將第一塊萬用表的黑表筆與第二塊萬用表的紅表筆連接），獲得3V的電源電壓。也可在萬用表R×1 Q擋的外部串聯(lián)1到2節(jié)1.5 V電池，將電源電壓提升到3～4.2 V。采用上述方法，便可檢查10～100 A的大功率晶閘管的導通特性。
在單向晶閘管的芯片內(nèi)部，TLP280-4GB控制極G和陰極K之間是一個PN結，PN結具有單向導電特性，其正反向電阻值相差很大�？刂茦OG和陽極A之間有兩個反向串聯(lián)的PN結，無論A、G兩個電極的電位哪個高，兩極間總是呈高阻值。
將萬用表置在R×100 Q擋上，分別測量可控硅任意兩引出腳間的電阻值。對3個引腳端，調(diào)換兩表筆，共進行6次測量，其中5次萬用表的讀數(shù)應為無窮大，一次讀數(shù)為幾十歐姆。讀數(shù)為幾十歐姆的那次，黑表筆接的引腳端是控制極G，紅表筆接的引腳端是陰極K，剩下的1個引腳端為陽極A。若在測量中不符合以上規(guī)律，則說明晶閘管損壞或性能不良。
(2)導通特性的測試
1) 10 A以下晶閘管導通特性的測試
將萬用表置R×1 Q擋，黑表筆接陽極A引腳端，紅表筆接陰極K引腳端，此時萬用表指針不偏轉。將控制極G引腳端和陽極A引腳端瞬間短接，萬用表的讀數(shù)隨即降到幾十歐姆，說明可控硅能被觸發(fā)并維持導通，導通的基本性能好，否則不能使用。
2) 10—100 A晶閘管導通特性的測試
對于10～100 A大功率晶閘管，因其通態(tài)壓降較大，并且R×1 Q擋提供的電流低于維持電流，故晶閘管不能完全導通。
測量時可采用雙表法，即把兩塊萬用表的R×1 Q擋串聯(lián)起來使用（將第一塊萬用表的黑表筆與第二塊萬用表的紅表筆連接），獲得3V的電源電壓。也可在萬用表R×1 Q擋的外部串聯(lián)1到2節(jié)1.5 V電池，將電源電壓提升到3～4.2 V。采用上述方法，便可檢查10～100 A的大功率晶閘管的導通特性。
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