晶體管損壞的一般原因
發(fā)布時間:2014/1/19 12:54:57 訪問次數(shù):4261
晶體管損壞的一般原因
①電路中的電壓、電流、輸出功率過載引起損壞。TS5A23157DGSRR在晶體管電路中主要與集電極一發(fā)射極間的電壓VCE.集電極一基極間的電壓VCB及晶體管固有的特性參數(shù)（如VCBO. VCEO./CBO. /CEO. PCM）及工作條件有關(guān)。如果電路中晶體管的集電極電壓VCEO超過了最大值，就會造成晶體管損壞。
②熱損壞。在晶體管手冊中一般所指的最大電壓，通常是常溫(25℃)下的值。因此，在環(huán)境溫度較高或在最高結(jié)溫下使用時，晶體管工作的實際最大電壓將小于常溫時的值。溫度過高時，晶體管的/CBO和/EBO會增加，造成結(jié)溫上升，而結(jié)溫升高又會使/CBO和/EBO更進一步增大而形成雪崩現(xiàn)象，結(jié)果熱擊穿而損壞。
③二次擊穿引起的損壞。在晶體管電路中，當(dāng)集電極電壓升高時首先會出現(xiàn)一次擊穿，使尼急劇增加。當(dāng)其電壓增加到某一臨界值后，C、E極壓降會突然降低，形成很大的過電流，造成二次擊穿而損壞。
④外界環(huán)境變化引起的損壞。外界環(huán)境變化是指機械振動、外力沖擊、潮濕、化學(xué)物品的侵蝕等外界因素造成的損壞。
晶體管損壞的一般原因
①電路中的電壓、電流、輸出功率過載引起損壞。TS5A23157DGSRR在晶體管電路中主要與集電極一發(fā)射極間的電壓VCE.集電極一基極間的電壓VCB及晶體管固有的特性參數(shù)（如VCBO. VCEO./CBO. /CEO. PCM）及工作條件有關(guān)。如果電路中晶體管的集電極電壓VCEO超過了最大值，就會造成晶體管損壞。
②熱損壞。在晶體管手冊中一般所指的最大電壓，通常是常溫(25℃)下的值。因此，在環(huán)境溫度較高或在最高結(jié)溫下使用時，晶體管工作的實際最大電壓將小于常溫時的值。溫度過高時，晶體管的/CBO和/EBO會增加，造成結(jié)溫上升，而結(jié)溫升高又會使/CBO和/EBO更進一步增大而形成雪崩現(xiàn)象，結(jié)果熱擊穿而損壞。
③二次擊穿引起的損壞。在晶體管電路中，當(dāng)集電極電壓升高時首先會出現(xiàn)一次擊穿，使尼急劇增加。當(dāng)其電壓增加到某一臨界值后，C、E極壓降會突然降低，形成很大的過電流，造成二次擊穿而損壞。
④外界環(huán)境變化引起的損壞。外界環(huán)境變化是指機械振動、外力沖擊、潮濕、化學(xué)物品的侵蝕等外界因素造成的損壞。
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