瞬態(tài)保護(hù)設(shè)備接地
發(fā)布時(shí)間:2014/4/21 19:50:17 訪問次數(shù):877
圖14-12表示用四個(gè)雙極TVS二極管防護(hù)瞬態(tài)過電壓的一個(gè)RS-232的接口。注意到PA886C02恰好每個(gè)接地導(dǎo)體被一個(gè)TVS二極管保護(hù)。通常需要這樣做是因?yàn)殡娐返睾偷妆P地之間的內(nèi)部連接可能不在電纜人口的位置而且可能不具有低電感。
圖14 -12用四個(gè)TVS二極管的RS-232輸入保護(hù),以防止瞬態(tài)過電壓
微處理器復(fù)位、中斷以及任何其他可能改變數(shù)字設(shè)備工作狀態(tài)的控制輸入應(yīng)被保護(hù)以防止由快速上升的時(shí)間瞬變引起的誤觸發(fā),可以加一個(gè)小電容或R-C網(wǎng)絡(luò)(50~lOofl,500~lOOOpF)到IC輸入端,類似于圖14-2所示,以減小它對(duì)如由ESD或EFT產(chǎn)生的尖窄瞬變脈沖(1~5ns)的敏感性。
一個(gè)有電源和接地層的多層PCB將比單層或雙層板提供更大的瞬態(tài)抗擾度。這是與層間電容串聯(lián)的較低的接地阻抗和低電感的結(jié)果。如11.4.6節(jié)所討論的嵌入式PCB電容技術(shù)也能用于有效增加瞬態(tài)抗擾度。足夠大體積的去耦電容也能有效提高瞬態(tài)抗擾度,因?yàn)樗鼘?/span>減小由瞬態(tài)電荷+產(chǎn)生的電源電壓的變化。電壓、電荷和電容之間的關(guān)系如式(15-1)所示。從該式可看出,對(duì)于由瞬態(tài)電流所產(chǎn)生的固定電荷Q的變化,電壓變化的數(shù)值由電容所確定。電容越大,當(dāng)額外電荷被注入系統(tǒng)時(shí),電壓改變得越小。
圖14-13表示瞬態(tài)電流人口保護(hù)和敏感設(shè)備加固的結(jié)合。注意到輸入電纜上的瞬態(tài)抑制器接到底盤地,其目的是分流瞬態(tài)電流遠(yuǎn)離PCB。然而,在敏感設(shè)備輸入端的保護(hù)濾波器接到電路的地,其目的是消除或最小化設(shè)備輸入插腳和地插腳之間出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓。
圖14-12表示用四個(gè)雙極TVS二極管防護(hù)瞬態(tài)過電壓的一個(gè)RS-232的接口。注意到PA886C02恰好每個(gè)接地導(dǎo)體被一個(gè)TVS二極管保護(hù)。通常需要這樣做是因?yàn)殡娐返睾偷妆P地之間的內(nèi)部連接可能不在電纜人口的位置而且可能不具有低電感。
圖14 -12用四個(gè)TVS二極管的RS-232輸入保護(hù),以防止瞬態(tài)過電壓
微處理器復(fù)位、中斷以及任何其他可能改變數(shù)字設(shè)備工作狀態(tài)的控制輸入應(yīng)被保護(hù)以防止由快速上升的時(shí)間瞬變引起的誤觸發(fā),可以加一個(gè)小電容或R-C網(wǎng)絡(luò)(50~lOofl,500~lOOOpF)到IC輸入端,類似于圖14-2所示,以減小它對(duì)如由ESD或EFT產(chǎn)生的尖窄瞬變脈沖(1~5ns)的敏感性。
一個(gè)有電源和接地層的多層PCB將比單層或雙層板提供更大的瞬態(tài)抗擾度。這是與層間電容串聯(lián)的較低的接地阻抗和低電感的結(jié)果。如11.4.6節(jié)所討論的嵌入式PCB電容技術(shù)也能用于有效增加瞬態(tài)抗擾度。足夠大體積的去耦電容也能有效提高瞬態(tài)抗擾度,因?yàn)樗鼘?/span>減小由瞬態(tài)電荷+產(chǎn)生的電源電壓的變化。電壓、電荷和電容之間的關(guān)系如式(15-1)所示。從該式可看出,對(duì)于由瞬態(tài)電流所產(chǎn)生的固定電荷Q的變化,電壓變化的數(shù)值由電容所確定。電容越大,當(dāng)額外電荷被注入系統(tǒng)時(shí),電壓改變得越小。
圖14-13表示瞬態(tài)電流人口保護(hù)和敏感設(shè)備加固的結(jié)合。注意到輸入電纜上的瞬態(tài)抑制器接到底盤地,其目的是分流瞬態(tài)電流遠(yuǎn)離PCB。然而,在敏感設(shè)備輸入端的保護(hù)濾波器接到電路的地,其目的是消除或最小化設(shè)備輸入插腳和地插腳之間出現(xiàn)的任何瞬態(tài)電壓。
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