BGA(Ball Grid Array,球形柵格陣列)和CSP (UBGA)的廣泛應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間:2014/4/29 19:58:30 訪問(wèn)次數(shù):1790
BGA(Ball Grid Array,球形柵格陣列)和CSP (UBGA)的廣泛應(yīng)用
BGA的引腳是球形的,LC-04A均勻地分布在芯片的底部。BGA與QFP相比,最突出[內(nèi)優(yōu)點(diǎn)是I/O數(shù)與封裝面積比高,節(jié)省PCB面積,提高了組裝密度,組裝難度下降,加工窗口更大。另外,由于BGA引線短,導(dǎo)線的自感和互感很低,元器件引腳間信號(hào)干擾小,頻率特性好,散熱性好。目前BGA已經(jīng)廣泛應(yīng)用。
CSP又稱UBGA。CSP的外形與BGA相同,封裝尺寸比BGA小,CSP的封裝尺寸與芯片面積比小于等于1.2。CSP比BGA具有更短的互連,阻抗低、干擾小,更適合高頻領(lǐng)域。
Flip Chip(倒裝芯片)技術(shù)
Flip Chip的優(yōu)點(diǎn)是組裝密度更高、芯片的成本更低,但由于需要底部填充,因此組裝后存在修復(fù)的缺點(diǎn)。
COB (Chip on Board)技術(shù)
COB是指將裸芯片直接貼在PCB或陶瓷等基板上,用鋁線或金線進(jìn)行電子連接,然后直接在板f:封膠的技術(shù)。由于COB工藝使用裸芯片,因此節(jié)約了封裝的成本,裸:芯片比封裝的lC成本便宜約20%以上。COB主要應(yīng)用于低端電子產(chǎn)品,如阮具、計(jì)算器、遙控器等。
MCM (Multichip Module)多芯片模塊
MCM如同混合電路,它將電阻做在陶瓷或PCB上,外貼多個(gè)集成電路和電容等其他元件,再封裝成一個(gè)組件。MCM能有效地提高組裝密度,有利于功能組件進(jìn)一步小型化。
WLP (Wafer LeveIProcessing)晶圓級(jí)封裝
WLP是直接在晶圓(硅片)上加工凸點(diǎn)的封裝技術(shù)。它綜合了倒裝芯片技術(shù)及SMT和BGA的成果,使lC器件進(jìn)一步微型化。
QFN (Quad Flat No-Iead Package)方形扁平無(wú)引腳封裝
QFN是無(wú)引線引線框架封裝。這種封裝的引線分布在元器件的底面,體積小、質(zhì)量輕,與QFP、SOP相比較占PCB面積更小,適合手機(jī)、PDA等便攜式電子產(chǎn)品。QFN還可以將散熱電極布置在元器件的底面,有利于高密度散熱。
SMT與IC、SMT與高密度封裝技術(shù)、SMT與PCB制造技術(shù)相結(jié)合推動(dòng)封裝技術(shù)從2D向3D發(fā)展,向模塊化、系統(tǒng)化發(fā)展
目前,元器件尺寸已日益面臨極限,PCB設(shè)計(jì)、PCB加工難度及自動(dòng)印刷機(jī)、貼裝機(jī)精度也趨于極限。但是在信息時(shí)代里,無(wú)法阻止人們對(duì)通信設(shè)備,特別是便攜電子設(shè)備提出更薄、更輕及無(wú)正境的多功能、高性能等要求。為了滿足電子產(chǎn)品多功能、小型化要求,在提高lC集成度的基礎(chǔ)上,目前已研制出復(fù)合化片式無(wú)源元件;將上百個(gè)無(wú)源元件和有源器件集成到一個(gè)封裝內(nèi),組成.個(gè)功能系統(tǒng);25~15 ym薄芯片技術(shù)和薄型封裝層疊技術(shù)組成三維立體組件。目前已經(jīng)有3芯片、8芯片、10芯片堆疊模塊,三維晶圓級(jí)堆疊正處在研發(fā)階段。SMD封裝技術(shù)從二維向三維發(fā)展。另外,SOC單片系統(tǒng)、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS等新型封裝器件也在開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
BGA(Ball Grid Array,球形柵格陣列)和CSP (UBGA)的廣泛應(yīng)用
BGA的引腳是球形的,LC-04A均勻地分布在芯片的底部。BGA與QFP相比,最突出[內(nèi)優(yōu)點(diǎn)是I/O數(shù)與封裝面積比高,節(jié)省PCB面積,提高了組裝密度,組裝難度下降,加工窗口更大。另外,由于BGA引線短,導(dǎo)線的自感和互感很低,元器件引腳間信號(hào)干擾小,頻率特性好,散熱性好。目前BGA已經(jīng)廣泛應(yīng)用。
CSP又稱UBGA。CSP的外形與BGA相同,封裝尺寸比BGA小,CSP的封裝尺寸與芯片面積比小于等于1.2。CSP比BGA具有更短的互連,阻抗低、干擾小,更適合高頻領(lǐng)域。
Flip Chip(倒裝芯片)技術(shù)
Flip Chip的優(yōu)點(diǎn)是組裝密度更高、芯片的成本更低,但由于需要底部填充,因此組裝后存在修復(fù)的缺點(diǎn)。
COB (Chip on Board)技術(shù)
COB是指將裸芯片直接貼在PCB或陶瓷等基板上,用鋁線或金線進(jìn)行電子連接,然后直接在板f:封膠的技術(shù)。由于COB工藝使用裸芯片,因此節(jié)約了封裝的成本,裸:芯片比封裝的lC成本便宜約20%以上。COB主要應(yīng)用于低端電子產(chǎn)品,如阮具、計(jì)算器、遙控器等。
MCM (Multichip Module)多芯片模塊
MCM如同混合電路,它將電阻做在陶瓷或PCB上,外貼多個(gè)集成電路和電容等其他元件,再封裝成一個(gè)組件。MCM能有效地提高組裝密度,有利于功能組件進(jìn)一步小型化。
WLP (Wafer LeveIProcessing)晶圓級(jí)封裝
WLP是直接在晶圓(硅片)上加工凸點(diǎn)的封裝技術(shù)。它綜合了倒裝芯片技術(shù)及SMT和BGA的成果,使lC器件進(jìn)一步微型化。
QFN (Quad Flat No-Iead Package)方形扁平無(wú)引腳封裝
QFN是無(wú)引線引線框架封裝。這種封裝的引線分布在元器件的底面,體積小、質(zhì)量輕,與QFP、SOP相比較占PCB面積更小,適合手機(jī)、PDA等便攜式電子產(chǎn)品。QFN還可以將散熱電極布置在元器件的底面,有利于高密度散熱。
SMT與IC、SMT與高密度封裝技術(shù)、SMT與PCB制造技術(shù)相結(jié)合推動(dòng)封裝技術(shù)從2D向3D發(fā)展,向模塊化、系統(tǒng)化發(fā)展
目前,元器件尺寸已日益面臨極限,PCB設(shè)計(jì)、PCB加工難度及自動(dòng)印刷機(jī)、貼裝機(jī)精度也趨于極限。但是在信息時(shí)代里,無(wú)法阻止人們對(duì)通信設(shè)備,特別是便攜電子設(shè)備提出更薄、更輕及無(wú)正境的多功能、高性能等要求。為了滿足電子產(chǎn)品多功能、小型化要求,在提高lC集成度的基礎(chǔ)上,目前已研制出復(fù)合化片式無(wú)源元件;將上百個(gè)無(wú)源元件和有源器件集成到一個(gè)封裝內(nèi),組成.個(gè)功能系統(tǒng);25~15 ym薄芯片技術(shù)和薄型封裝層疊技術(shù)組成三維立體組件。目前已經(jīng)有3芯片、8芯片、10芯片堆疊模塊,三維晶圓級(jí)堆疊正處在研發(fā)階段。SMD封裝技術(shù)從二維向三維發(fā)展。另外,SOC單片系統(tǒng)、微電子機(jī)械系統(tǒng)MEMS等新型封裝器件也在開(kāi)發(fā)應(yīng)用。
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