SRAM采用觸發(fā)器電路構(gòu)成一個(gè)二進(jìn)制數(shù)的基本存儲(chǔ)位元，這種觸發(fā)器一般由6個(gè)MOS管組成，如圖2-4所示。Tl和T2交叉耦合構(gòu)成RS觸發(fā)器，用來(lái)存儲(chǔ)信息。T3和T4分別是Tl和T2的負(fù)載管，T5、T6與T7、T8用作開關(guān)管，分別進(jìn)行X行地址和Y行地址選擇控制。

   向位元中寫入信息采用雙邊寫入的原理。 AD53504-02寫入時(shí)，由X線共同確定某一單元，要寫入的數(shù)據(jù)從位線D和西雙邊送入。例如，若要寫入的信息是“1”，即D=l，西=0，則X、Y地址選擇線選中該單元后，T5～T8都是導(dǎo)通的傳輸門，因此D線上的高電平送到了T2管的柵極，使其導(dǎo)通，同時(shí)，西線的低電平送到Tl管的柵極，使其

截止，并且都依靠觸發(fā)器內(nèi)部反饋保持穩(wěn)定。這樣，不論該電路以前處于什么狀態(tài)，A端為高電平且B端為低電平，達(dá)到了寫“1”的目的。寫入O信息的過(guò)程與此類似。

   圖2-4六管靜態(tài)RAM基本存儲(chǔ)電路

   讀出位元的內(nèi)容采用單邊讀出的原理。由X行地址選擇線和Y行地址選擇線共同選中某一單元，使T5～T8處于導(dǎo)通，此時(shí)觸發(fā)器的狀態(tài)經(jīng)過(guò)T6和T8及讀出放大后傳送到讀出端，讀出信息。