一次性可編程的只讀存儲器允許用戶自己編程一次。在PROM申，常用多發(fā)射極的晶體管做存儲單元，如圖2-12所示，發(fā)射極上串接了可溶性金屬絲，AD603AQ出廠時熔絲都是完整的，管子將位線與字選線連通，表示存有0信息（反相后為1）。用戶編程時，在脈沖的作用下，使熔絲斷開，便實現(xiàn)了對PROM的編程。由于熔絲燒斷后無法恢復，所以，PROM只能實可擦除可編程的ROM簡稱為EPROM，用戶既可以采取某種方法對這種只讀存儲器自行寫入信息，也可以采用某種方法將信息全部擦除，而且擦除后可以重新寫入新的信息。根據(jù)擦除的方法不同，EPROM可以分為兩種：一種是“用紫外線擦除的EPROM”，簡稱為UVEPROM（Ultra Violet EPROM）；另一種是“用電擦除的EPROM”，簡稱為EEPROM

( Electrically EPROM)或E2PROM。

   UVEPROM

   UVEPROM的基本存儲位元主要由一只浮置柵雪崩注入式MOS管(Floating gateAvalanche injection MOS，F(xiàn)AMOS)構(gòu)成。其中，F(xiàn)AMOS管可以分為P溝道FAMOS管和N溝道FAMOS管兩種，下面以P溝道FAMOS管為例來介紹其工作原理。

   如圖2-13所示，P溝道FAMOS管有一個生長在同一基片上的源極S和漏極D，它們分別往下在基片上生長了高濃度的P型區(qū)，源極和漏極之間為絕緣的二氧化硅層，。在其間埋設了一個浮置柵。FAMOS管是通過浮置柵內(nèi)有無電荷生成導電溝道而存儲信息的，即浮置柵內(nèi)若有屯荷，F(xiàn)AMOS管導通后，可表示管內(nèi)存“0”，否則可表示存“l(fā)”。對于P溝道的FAMOS管，只要在源極和漏極之間加21V的高電壓，便會在源漏極之間發(fā)生雪崩擊穿，電荷注入到浮置柵內(nèi)。高電壓撤除后，浮置柵內(nèi)的電荷由于受到二氧化硅的包圍和無處泄漏，因而保存下來。

   對UVEPROM的擦除原理是用紫外光照射，即用高能光子將浮置柵上的電子驅(qū)逐出去，使其返回基片，相應的位由原來的0變?yōu)?狀態(tài)。因此UVEPROM外殼上方的中央制作有一個圓形的石英玻璃窗口，紫外光通過窗口照進芯片內(nèi)部實現(xiàn)片的所有單元都發(fā)生作用，所以一次擦除便實現(xiàn)整個芯片恢復全1狀態(tài)，部分擦除是不

行的。實際擦除過程必須要將UVEPROM從系統(tǒng)上拆除下來，放入專用的擦除器中完成。時在保管UVEPROM芯片時，由于陽光中有紫外光的成分，為了避免EPROM的內(nèi)容被無意識地擦除，應該用一種不透明的標簽貼在UVEPROM的窗口上。