一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>

   ①學(xué)會(huì)使用靜態(tài)隨杌存取存儲(chǔ)器。

   ②加深對(duì)總線概念的理解。

   二、實(shí)驗(yàn)原理

   RAM2114A工作原理

   RAM2114A是一種1 024×4的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，采用HMOS工藝制作，U0063A-AY它的邏輯符號(hào)如圖3. 76所示。其引腳有3類：一類是輸入地址腳，由地址腳決定輸入數(shù)據(jù)存在何處或從何處取出數(shù)據(jù)；二類腳是輸入控制腳，控制芯片的選中和數(shù)據(jù)的讀寫；三類是輸入輸出數(shù)據(jù)腳，是芯片和外界進(jìn)行信息交換的通道。各引腳端具體功能如表3. 18所示。

   RAM2144A具有如下特點(diǎn)。

   ①采用直接耦合的靜態(tài)電路，不需要時(shí)鐘信號(hào)驅(qū)動(dòng)，也無(wú)須刷新。

   ②不需要地址建立時(shí)間，存取特別簡(jiǎn)單。

   ③在CS=O，WE=1時(shí)讀出信息，讀出是非破壞性的。

   ④在CS=O時(shí)，WE輸入一個(gè)負(fù)脈沖，則能寫入信息；同樣，在WE=O時(shí)，CS輸入一個(gè)負(fù)脈沖，也能寫入信息。為了防止誤寫入，在改變地址碼時(shí)，WE或CS必須至少有一個(gè)為1。

   ⑤輸入、輸出信號(hào)是同極性的，使用I/O端，能直接與系統(tǒng)總線相連接。

   ⑥使用單電源+5 V供電。

   ⑦輸入、輸出與TTL電路兼容，輸出能驅(qū)動(dòng)一個(gè)TTL門和CL一100 pF的負(fù)載工c，，一2. 1～6 mA,I()H一-1. 0～-1.4 mA.

   ③具有獨(dú)立選片功能和三態(tài)輸出。

   ⑨器件具有高速與低功耗性能。

   ⑩讀／寫周期均小于250 ns。

   隨機(jī)存取存儲(chǔ)器種類很多，RAM2114A是一種常用的靜態(tài)存儲(chǔ)器，是RAM2114的改進(jìn)型。實(shí)驗(yàn)中也可以使用其他型號(hào)的隨機(jī)存儲(chǔ)器。例如，6116是一種使用較廣的2 048×8位的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它的使用方法與RAM2114A相似，僅多一個(gè)DE讀取通端，當(dāng)DE-O、WE=1時(shí)，讀出存儲(chǔ)器內(nèi)信息，在DE-1、WE-O時(shí)，則把信息寫入存儲(chǔ)器。

   隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種快速存取的存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)或其他數(shù)字系統(tǒng)作為主存儲(chǔ)器使用，通電后可以根據(jù)要求寫入信息，并在工作過(guò)程中能不斷更改其存儲(chǔ)內(nèi)容。但一旦斷電，信息全部消失，下次通電時(shí)，必須重新寫入才能發(fā)揮作用。