地址、日期和BCD碼關(guān)系
發(fā)布時(shí)間:2014/7/15 22:18:49 訪問次數(shù):931
日期讀出:由計(jì)數(shù)器調(diào)好地址,或者用U1620G連續(xù)脈沖循環(huán)掃描地址,然后給讀控制負(fù)脈沖(也可直接接地),則日期數(shù)據(jù)就從RAM2114A的I/O端口讀出送至74LS244的輸入2A,.2A。2A:2A,端,最后再通過74LS244的輸出2Y。2Y。2Y22Y,端,送到譯碼顯示器,顯示日期,如果采用連續(xù)脈沖循環(huán)掃描地址,則日期依次顯示出來。地址、日期和BCD碼關(guān)系如表3. 19所示。
表3. 19地址、日期和BCD碼關(guān)系
實(shí)驗(yàn)儀器
①數(shù)字實(shí)驗(yàn)儀、數(shù)字萬用表。
②主要器件:74LS04-1片,74LS160-1片,74LS244-1片,RAM2114A-1片,74LS48-1片,4205-1片。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
(1)按數(shù)碼循環(huán)顯示電路原理設(shè)計(jì)并搭試實(shí)驗(yàn)電路。具體要求如下。
①將實(shí)驗(yàn)當(dāng)日的日期(8位數(shù)碼)寫入RAM2114A內(nèi)。
②循環(huán)顯示RAM2114A存儲單元數(shù)據(jù)。
③將RAM地址碼接上LED,監(jiān)視地址碼。
(2)設(shè)計(jì)并搭試一個(gè)能顯示任意字型的字碼循環(huán)顯示電路。例如能顯示A、b、c、d、E、F……字符。(提示:使用兩片RAM2114A設(shè)計(jì)該電路)
預(yù)習(xí)要求
①了解隨機(jī)存取存儲器的基本工作原理,區(qū)分地址碼與存儲內(nèi)容兩個(gè)不同概念。
②完成CMOS繼承電路的使用規(guī)則。
③完成第六項(xiàng)中的報(bào)告。
實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求
①畫出設(shè)計(jì)電路圖全圖。
②敘述設(shè)計(jì)思想及設(shè)計(jì)過程。
③列出存人數(shù)據(jù)與地址碼、顯示字碼、數(shù)碼關(guān)系表。
日期讀出:由計(jì)數(shù)器調(diào)好地址,或者用U1620G連續(xù)脈沖循環(huán)掃描地址,然后給讀控制負(fù)脈沖(也可直接接地),則日期數(shù)據(jù)就從RAM2114A的I/O端口讀出送至74LS244的輸入2A,.2A。2A:2A,端,最后再通過74LS244的輸出2Y。2Y。2Y22Y,端,送到譯碼顯示器,顯示日期,如果采用連續(xù)脈沖循環(huán)掃描地址,則日期依次顯示出來。地址、日期和BCD碼關(guān)系如表3. 19所示。
表3. 19地址、日期和BCD碼關(guān)系
實(shí)驗(yàn)儀器
①數(shù)字實(shí)驗(yàn)儀、數(shù)字萬用表。
②主要器件:74LS04-1片,74LS160-1片,74LS244-1片,RAM2114A-1片,74LS48-1片,4205-1片。
實(shí)驗(yàn)內(nèi)容
(1)按數(shù)碼循環(huán)顯示電路原理設(shè)計(jì)并搭試實(shí)驗(yàn)電路。具體要求如下。
①將實(shí)驗(yàn)當(dāng)日的日期(8位數(shù)碼)寫入RAM2114A內(nèi)。
②循環(huán)顯示RAM2114A存儲單元數(shù)據(jù)。
③將RAM地址碼接上LED,監(jiān)視地址碼。
(2)設(shè)計(jì)并搭試一個(gè)能顯示任意字型的字碼循環(huán)顯示電路。例如能顯示A、b、c、d、E、F……字符。(提示:使用兩片RAM2114A設(shè)計(jì)該電路)
預(yù)習(xí)要求
①了解隨機(jī)存取存儲器的基本工作原理,區(qū)分地址碼與存儲內(nèi)容兩個(gè)不同概念。
②完成CMOS繼承電路的使用規(guī)則。
③完成第六項(xiàng)中的報(bào)告。
實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求
①畫出設(shè)計(jì)電路圖全圖。
②敘述設(shè)計(jì)思想及設(shè)計(jì)過程。
③列出存人數(shù)據(jù)與地址碼、顯示字碼、數(shù)碼關(guān)系表。
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