變磁阻式傳感器通常都具有線圈。將傳感器G40N60B3線圈等效成圖3-2所示的等效電路，并對電路參數(shù)進衍簡單討論。

   【銅損電阻R。】取決于導(dǎo)線材料及線圈的幾何尺寸。

   【渦流損耗電阻R。】由頻率為廠的交變電流激勵產(chǎn)生的交變磁場，會在線圈、鐵心中造成渦流及磁滯損耗。根據(jù)經(jīng)典的渦流損耗計算公式可知，為降低渦流損耗，疊片式鐵心片的厚度應(yīng)盡量薄；高電阻率有利于損耗的下降，而高磁導(dǎo)率卻會使渦流損耗增加。

   【磁滯損耗電阻R�！胯F磁物質(zhì)在交變磁化時，磁分子來回翻而要克服阻力，類似摩擦生熱的能量損耗。

   【寄生電容C】主要由線圈的固有電容與電纜分布電容構(gòu)成。

   為便于分析，先不考慮寄生電容C和磁滯損耗電阻R，并將圖3-2中的線圈電感與渦流損耗電阻等效為串聯(lián)鐵損電阻R"與串聯(lián)電感L’的等效電路。這時R'e和L’的串聯(lián)阻抗與R。