磁敏電阻器是基于磁阻效應(yīng)的磁敏元件，ADUM1250ARZ它是磁阻位移傳感器、無觸點(diǎn)開關(guān)等的核心部件。

   磁阻效應(yīng)

   當(dāng)一個(gè)載流導(dǎo)體置于磁場(chǎng)中時(shí)，其電阻值會(huì)隨磁場(chǎng)變化而變化，這種現(xiàn)象被稱為磁阻效應(yīng)。當(dāng)溫度恒定時(shí)，在磁場(chǎng)內(nèi)，磁阻和磁感應(yīng)強(qiáng)度曰的二次方成正比。如果器件只有在電子參與導(dǎo)電的簡(jiǎn)單情況下，理論推導(dǎo)出來的磁阻效應(yīng)方程為

   p =Po（1+0. 273/LL282）

   式中，p是磁感應(yīng)強(qiáng)度為B時(shí)的電阻率；Po是零磁場(chǎng)下的電阻率；肛是電子遷移率；B是磁可以看出，在磁感應(yīng)強(qiáng)度B-定時(shí)，遷移率越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半導(dǎo)體材料）的磁阻效應(yīng)越明顯。從微觀上講，材料的電阻率增加是因?yàn)殡娏鞯牧鲃?dòng)路徑因磁場(chǎng)的作用而加長所致。