①輸入電阻Ri。S11MD4T在規(guī)定的技術(shù)條件（如室溫、零磁場(chǎng)）下，控制電流電極端子之間的電阻稱為Ri。

   ②輸出電阻R。。t在規(guī)定的技術(shù)條件（如室溫、零磁場(chǎng)）下，在無負(fù)載情況下，霍爾輸出電極端子之間的電阻稱為。

   ③額定控制電流IC在磁感應(yīng)強(qiáng)度B-O時(shí)，靜止空氣中環(huán)境溫度為25℃條件下，焦耳熱產(chǎn)生的允許溫升AT=10℃時(shí)從霍爾器件電流輸入的電流稱額定控制電流IC。最大允許控制電流受元件的最高允許使用溫度值（Ti）的限制，可以通過最高溫度時(shí)電損耗等于散熱的條件計(jì)算出最大允許控制電流ICM。一般鍺元件Tj小于80℃，硅元件Tj小于175℃，砷化鎵正小于250℃，依據(jù)霍爾元件的尺寸(Z、6、d)和電阻率10，散熱系數(shù)as，AT= Tj - T室溫.

   ④乘積靈敏度KH  在單位控制電流IC和單位磁感應(yīng)強(qiáng)度B的作用下，霍爾器件輸出端開路時(shí)測(cè)得霍爾電壓，稱為乘積靈敏度KH，其單位為V/(A．T).

   由此可見，半導(dǎo)體材料的載流子遷移率P越大，或者半導(dǎo)體片厚度d越小，則乘積靈敏度KH就越高。

   ⑤磁靈敏度SB在額定控制電流IC和單位磁感應(yīng)強(qiáng)度B的作用下，霍爾器件輸出端開路時(shí)的霍爾電壓UH稱為磁靈敏度，表示為SB=UH/B(其單位為V／T)，

   ⑥不等位電勢(shì)UM  當(dāng)輸入額定的控制電流Ic時(shí)，即使不加外磁場(chǎng)(B—O)，由于在生產(chǎn)中材料厚度不均勻或輸出電極焊接不良等，造成兩個(gè)輸出電壓電極不在同一等位面上，在輸出電壓電極之間仍有一定的電位差。這種電位差稱為不等位電勢(shì)(UM)，其測(cè)量電路如圖3-39所示。由圖可以看出，UM電勢(shì)有方向性，是隨著控制電流方向改變而改變的，但是數(shù)值不變。