晶體管的f參數(shù)
發(fā)布時間:2014/12/22 19:40:43 訪問次數(shù):713
廠參數(shù)反應了晶體管的頻率特性。HAT1108C晶體管的廠參數(shù)主要有f和/lm4項,它們統(tǒng)稱為晶體管的頻率特性。
當我們用晶體管組成放大或振蕩電路時,該電路的工作頻率是有一定限度的,這個限度就是晶體管的最高I作頻率,如果超過這個限度,晶體管的放大倍數(shù)就要下降,直至晶體管完全失去工作能力,電路完全不能工作。我們知道晶體管的電流(載流子)是由集電結(jié)收集后,經(jīng)過基區(qū)輸送由發(fā)射結(jié)發(fā)射輸送到外電路的。其中發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是由PN結(jié)組成的,這兩個PN結(jié)都具有電容效應(PN結(jié)都有結(jié)電容)。因此,當電信號經(jīng)過晶體管時要有一個渡越時間,也就是說當電流流經(jīng)晶體管時會產(chǎn)生延遲效應或稱相移。
當信號頻率較低時,這個延遲效應較小,晶體管的工作狀態(tài)幾乎不受影響,因此可以忽略掉。但當信號頻率較高時,載流子的渡越時間與信號周期相比就不能忽略了,由于在高頻狀態(tài)下,晶體管的結(jié)電容呈現(xiàn)較低的阻抗,這會使一部分信號被旁路,因而就會降低發(fā)射結(jié)的發(fā)射效率和集電結(jié)的收集效率,于是電路輸出信號不僅在時間上有所延遲,而且在幅度上也有所下降了。
當信號頻率再提高時,可能出現(xiàn)注入的多數(shù)載流子在尚未到達集電區(qū)時,輸入信號的幅 度和方向就開始變化了,結(jié)果造成載流子運動紊亂現(xiàn)象,以致使晶體管完全失去工作能力。
隨著工作頻率的升高,所有晶體管的放大能力都會下降,但不同晶體管放大能力開始顯著下降的頻率是各不相同的。例如,有一些晶體管(低頻管)的放大能力在lOkHz左右就開始下降,另一些管子(高頻管)的放大能力在幾兆赫或幾十兆赫才開始下降,還有一些管子(超離頻管或微波晶體管)可以一直工作到幾百兆赫甚至幾千兆赫。這就是所謂的晶體管頻率特性。
廠參數(shù)反應了晶體管的頻率特性。HAT1108C晶體管的廠參數(shù)主要有f和/lm4項,它們統(tǒng)稱為晶體管的頻率特性。
當我們用晶體管組成放大或振蕩電路時,該電路的工作頻率是有一定限度的,這個限度就是晶體管的最高I作頻率,如果超過這個限度,晶體管的放大倍數(shù)就要下降,直至晶體管完全失去工作能力,電路完全不能工作。我們知道晶體管的電流(載流子)是由集電結(jié)收集后,經(jīng)過基區(qū)輸送由發(fā)射結(jié)發(fā)射輸送到外電路的。其中發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都是由PN結(jié)組成的,這兩個PN結(jié)都具有電容效應(PN結(jié)都有結(jié)電容)。因此,當電信號經(jīng)過晶體管時要有一個渡越時間,也就是說當電流流經(jīng)晶體管時會產(chǎn)生延遲效應或稱相移。
當信號頻率較低時,這個延遲效應較小,晶體管的工作狀態(tài)幾乎不受影響,因此可以忽略掉。但當信號頻率較高時,載流子的渡越時間與信號周期相比就不能忽略了,由于在高頻狀態(tài)下,晶體管的結(jié)電容呈現(xiàn)較低的阻抗,這會使一部分信號被旁路,因而就會降低發(fā)射結(jié)的發(fā)射效率和集電結(jié)的收集效率,于是電路輸出信號不僅在時間上有所延遲,而且在幅度上也有所下降了。
當信號頻率再提高時,可能出現(xiàn)注入的多數(shù)載流子在尚未到達集電區(qū)時,輸入信號的幅 度和方向就開始變化了,結(jié)果造成載流子運動紊亂現(xiàn)象,以致使晶體管完全失去工作能力。
隨著工作頻率的升高,所有晶體管的放大能力都會下降,但不同晶體管放大能力開始顯著下降的頻率是各不相同的。例如,有一些晶體管(低頻管)的放大能力在lOkHz左右就開始下降,另一些管子(高頻管)的放大能力在幾兆赫或幾十兆赫才開始下降,還有一些管子(超離頻管或微波晶體管)可以一直工作到幾百兆赫甚至幾千兆赫。這就是所謂的晶體管頻率特性。
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