SEPIC電路中的各點(diǎn)波形
發(fā)布時(shí)間:2015/1/8 21:13:11 訪問次數(shù):4360
SEPIC（單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器）電路中ADS8344E的各點(diǎn)波形如圖1.2.11所示，圖中屯為電感電流礦為A點(diǎn)電壓。
圖1.2.11 SEPIC電路中的各點(diǎn)波形
可以將LED串聯(lián)一個(gè)電阻作為SEPIC開關(guān)穩(wěn)壓器的負(fù)載，連接在SEPIC開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出端。圖1.2.10顯示的SEPIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要求較少的FET，但需要更多的無源組件。其好處是簡(jiǎn)單的接地參考FET驅(qū)動(dòng)器和控制電路。此外，可將雙電感組合到單一的耦合電感中，從而節(jié)省空間和成本。但是像降壓一升壓拓?fù)湟粯樱哂斜取敖祲夯蛏龎骸焙兔}動(dòng)輸出電流更高的開關(guān)電流，這就要求電容器可通過更大的RMS電流。與降壓或升壓型比較，SEPIC拓?fù)?/span>
可以提供更高的效率。
SEPIC（單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器）電路中ADS8344E的各點(diǎn)波形如圖1.2.11所示，圖中屯為電感電流礦為A點(diǎn)電壓。
圖1.2.11 SEPIC電路中的各點(diǎn)波形
可以將LED串聯(lián)一個(gè)電阻作為SEPIC開關(guān)穩(wěn)壓器的負(fù)載，連接在SEPIC開關(guān)穩(wěn)壓器的輸出端。圖1.2.10顯示的SEPIC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)要求較少的FET，但需要更多的無源組件。其好處是簡(jiǎn)單的接地參考FET驅(qū)動(dòng)器和控制電路。此外，可將雙電感組合到單一的耦合電感中，從而節(jié)省空間和成本。但是像降壓一升壓拓?fù)湟粯�，它具有比“降壓或升壓”和脈動(dòng)輸出電流更高的開關(guān)電流，這就要求電容器可通過更大的RMS電流。與降壓或升壓型比較，SEPIC拓?fù)?/span>
可以提供更高的效率。
相關(guān)技術(shù)資料- 1-8SEPIC電路中的各點(diǎn)波形
熱門點(diǎn)擊
- 用數(shù)字門電路組成的多諧振蕩器
- 場(chǎng)效應(yīng)管組成放大電路的三種方法
- 八進(jìn)制計(jì)數(shù)器CD4022
- 酒精檢測(cè)報(bào)警控制器電路原理圖
- SEPIC電路中的各點(diǎn)波形
- 集電極最大允許耗散功率PCM限制區(qū)
- 正向電流與相對(duì)光通量
- 光敏二極管放大電路
- 紅外發(fā)光二極管的主要參數(shù)
- 初級(jí)繞組和次級(jí)繞組的匝數(shù)比
推薦技術(shù)資料
- 驅(qū)動(dòng)板的原理分析
- 先來看看原理圖。圖8所示為底板及其驅(qū)動(dòng)示意圖，F(xiàn)M08... [詳細(xì)]
- 全集成直接飛行時(shí)間（dToF）傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲(chǔ)存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
