飽和區(qū)。當(dāng)U。。減小到一定程度(U。時(shí))。特性曲線簇中每一條曲線都向下彎曲，即I。NE592N8迅速下降，每條曲線上出現(xiàn)一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)，如圖中a，、a。…，這些點(diǎn)可粗略地認(rèn)為是Ucb =0（即U。。=Ub。）的點(diǎn)，把曲線簇中每條曲絨的這種轉(zhuǎn)折點(diǎn)連成的曲線稱為臨界飽和線（圖3-35中左邊的虛線），這條虛線以左至縱坐標(biāo)軸之間為飽和區(qū)。在飽和區(qū)中工e對(duì)J。的控制作用很小，基本上沒(méi)有什么電流放大作用。

   最大允許集電極電流ICM限制區(qū)。從晶體管手冊(cè)的參數(shù)表中可以查到極限參數(shù)ICM的值，例如，3AG20的ICM =lOmA。

   晶體管的工作電流不可以超過(guò)這個(gè)極限值，所以把曲線簇圖上在這個(gè)限值(ICM)以上的區(qū)域稱為最大允許集電極電流限制區(qū)。

   擊穿區(qū)。前面說(shuō)過(guò)，當(dāng)Uce增大超過(guò)Ub時(shí)，管子就出現(xiàn)擊穿。

   根據(jù)不同Ib所作出的每一條輸出特性曲線上，都有一個(gè)擊穿電壓BUc。，例如，Jn=0的這條曲線的擊穿電壓為BUce =17. 5V，Ib一30pz,A曲線上擊穿電壓為BUce2 =16. 7V,  Ib一50pLA的曲線上擊穿電壓為BUc。s =16V。

   把BU。，、BU。。。、BU ce。這些擊穿電壓點(diǎn)連接起來(lái)就成了一條擊穿電壓的臨界線，晶體管的工作電壓U ce超過(guò)這條線就會(huì)使集電極電流急劇增大，引起管子損壞，把這條臨界線以右的區(qū)域稱為擊穿區(qū)。

   集電極最大允許耗散功率PCM限制區(qū)。從晶體管手冊(cè)的參數(shù)表中可以查到極限參數(shù)PCM的值(例如，3AG25昀PCM一50MW)，它就是集電極上最大允許的耗散功率。

   晶體管工作在放大狀態(tài)時(shí)，發(fā)射結(jié)的正向電壓較小，集電結(jié)反向電壓較大，但通過(guò)兩個(gè)結(jié)的電流近似相等，即I。≈I。，因此，晶體管的消耗功率主要是指消耗在集電結(jié)上的功率，用Pc表示。。